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IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
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功率半导体那些事儿 关注Ta
从易到难，慢慢地支撑起整个半导体的框架，一个从零开始学习功率半导体的地方，我们可以一起谈谈功率半导体的那些事儿
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01前言昨天我们聊到，不间断电源主要是为了在市电故障时能够提供可靠和连续的电能。在一些大规模的应用场合，比如说大的数据中心、自动化生产线、医院等等那些对于电能持续性要求比较好的领域，试想一下，美国华尔街开市的时候突然没电，医院手术过程中突然停电，后者的后果可是无法设想的，可见UPS的存在是必然的。在
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功率器件分类&封装
话说又是好几天没更新了，实在罪过。最近感觉不知道写啥好了，这几天我会理理清楚的。今天，我们简单地聊一聊功率器件的封装技术，顺便也再重复性地对功率器件做个介绍~01功率半导体器件功率半导体器件，也就是我们说的电力电子器件，是一种广泛用于电力电子装置的电能变换和控制电路方面的半导体元件。电力电子装置的基
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功率模块Ⅰ—— 绝缘衬底
昨天我们开篇了功率模块，从功率模块的基本分层结构了解了除了半导体芯片之外的几大配置，今天我们来聊聊其中的绝缘衬底，一般会被叫作陶瓷基板，因为这种材料使用的最多，当然还有其他一些适合作为绝缘衬底的材料......绝缘衬底主要是作为半导体芯片的底座，同时会在绝缘衬底上沉积导电材料、绝缘材料和阻性材料，还
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上篇我们聊了关于功率模块绝缘衬底的几款主流材料，其中提到了在绝缘衬底上进行金属化的技术。今天我们就来聊聊绝缘衬底金属化技术......几种常用的金属化技术：❖薄膜❖厚膜❖电镀铜❖直接敷铜❖活化钎焊覆铜❖硬钎焊敷铜绝缘衬底表面金属化要求：热特性：高热导率（＞200W/K·m）与绝缘衬底的热膨胀系数相匹
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功率模块Ⅲ ——底板
前面我们聊了功率模块的绝缘衬底以及其表面金属化的那些事，希望对你们来说有些作用。今天我们继续来聊聊最底层的那块——功率模块的底板......底板作为绝缘沉底的机械支撑，一是吸收功率器件内部产生的热量，二来要将热量传递出去，必须具有较高的热导率才能有效地传递热量。并且需要具有较低的表面粗糙度，能与绝缘
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前言什么是DTS？这个词汇也是前段时间才第一次听说，可能很多朋友早就听说过或者接触过，突然觉得孤陋寡闻了。出于成本的原因，工业模块中很少会采用这种技术，所以很多小伙伴不是很了解，包括我自己。所以，知识的海洋很大，我们只是在其中一叶小舟，在前行的过程中不断地积累，以应对不同的风浪。DTS技术DTS技术
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最近遇到一个问题--大面积银烧结(Large area sintering，LAS)可行性，本着不懂就学的理念，今天我们就来聊一聊这个话题。前言首先，为了发挥碳化硅的优异性能，传统硅基的模块封装在不断地发展，新的封装材料和技术在不断地被挖掘。其中，新的封装形式得属车规的花样最多，但都涉及到一个技术-
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二极管反向恢复特性综述
二极管反向恢复特性前言在电子电路中，二极管是最常用的基础电子元器件之一，在电力电子电路中，二极管与开关器件形影相随，并且在很多情况下，二极管的数量要多于开关器件，可见其重要性。其中与开关器件匹配使用的大功率二极管要求最为特殊，这种二极管通常被称作“Freewheeling Diode”也就是我们常说
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不可控器件——电力二极管
不可控器件——电力二极管电力二极管（Power Diode）自20世纪50年代初期就获得应用，但其结构和原理简单，工作可靠，直到现在电力二极管仍然大量应用于许多电气设备当中。1、工作原理电力二极管是以半导体PN结为基础的,实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。从外形上看，可以有螺栓
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