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IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
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功率半导体那些事儿 关注Ta
从易到难，慢慢地支撑起整个半导体的框架，一个从零开始学习功率半导体的地方，我们可以一起谈谈功率半导体的那些事儿
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01前言昨天我们聊到，不间断电源主要是为了在市电故障时能够提供可靠和连续的电能。在一些大规模的应用场合，比如说大的数据中心、自动化生产线、医院等等那些对于电能持续性要求比较好的领域，试想一下，美国华尔街开市的时候突然没电，医院手术过程中突然停电，后者的后果可是无法设想的，可见UPS的存在是必然的。在
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功率器件分类&封装
话说又是好几天没更新了，实在罪过。最近感觉不知道写啥好了，这几天我会理理清楚的。今天，我们简单地聊一聊功率器件的封装技术，顺便也再重复性地对功率器件做个介绍~01功率半导体器件功率半导体器件，也就是我们说的电力电子器件，是一种广泛用于电力电子装置的电能变换和控制电路方面的半导体元件。电力电子装置的基
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功率模块Ⅰ—— 绝缘衬底
昨天我们开篇了功率模块，从功率模块的基本分层结构了解了除了半导体芯片之外的几大配置，今天我们来聊聊其中的绝缘衬底，一般会被叫作陶瓷基板，因为这种材料使用的最多，当然还有其他一些适合作为绝缘衬底的材料......绝缘衬底主要是作为半导体芯片的底座，同时会在绝缘衬底上沉积导电材料、绝缘材料和阻性材料，还
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上篇我们聊了关于功率模块绝缘衬底的几款主流材料，其中提到了在绝缘衬底上进行金属化的技术。今天我们就来聊聊绝缘衬底金属化技术......几种常用的金属化技术：❖薄膜❖厚膜❖电镀铜❖直接敷铜❖活化钎焊覆铜❖硬钎焊敷铜绝缘衬底表面金属化要求：热特性：高热导率（＞200W/K·m）与绝缘衬底的热膨胀系数相匹
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功率模块Ⅲ ——底板
前面我们聊了功率模块的绝缘衬底以及其表面金属化的那些事，希望对你们来说有些作用。今天我们继续来聊聊最底层的那块——功率模块的底板......底板作为绝缘沉底的机械支撑，一是吸收功率器件内部产生的热量，二来要将热量传递出去，必须具有较高的热导率才能有效地传递热量。并且需要具有较低的表面粗糙度，能与绝缘
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