扫码关注
这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应用选择合适的器件。将Wolfspeed的1200 V碳化硅二极管与碳化硅MOSFETs配对，为要求苛刻的应用创造了更高效率的强大组合。
C3M0032120K1 1200 V, 32 mΩ, 63 A, TO-247-4 通孔
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Id-连续漏极电流：69 A
Rds On-漏源导通电阻：57.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.5 V
Qg-栅极电荷：118 nC
最小工作温度：- 40°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：341 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降时间：9 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：18 ns
工厂包装数量：30
子类别：MOSFETs
晶体管类型：1 N-Channel
典型关闭延迟时间：32 ns
典型接通延迟时间：25 ns
C3M0032120J2 1200 V, 32 mΩ, 74 A, TO-263-7 表面贴装
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Id-连续漏极电流：68 A
Rds On-漏源导通电阻：55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.7 V
Qg-栅极电荷：111 nC
最小工作温度：- 40°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：277 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降时间：7 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：16 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFETs
晶体管类型：1 N-Channel
典型关闭延迟时间：25 ns
典型接通延迟时间：15 ns
C3M0075120K1 1200 V, 75 mΩ, 32 A, TO-247-4 通孔
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Id-连续漏极电流：30 A
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.5 V
Qg-栅极电荷：53 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 150°C
Pd-功率耗散：114 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降时间：10 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：14 ns
工厂包装数量：30
子类别：MOSFETs
晶体管类型：1 N-Channel
典型关闭延迟时间：38 ns
典型接通延迟时间：30 ns
特性
整个温度范围内稳定的RDS(ON)
提供带独立开尔文源引脚的封装选项
极快切换
减少对散热器的需求
应用
太阳能逆变器和储能
车载快速DC电动汽车充电系统
电机控制和驱动
焊接和感应加热
辅助电源
高压DC/DC转换器
碳化硅 (SiC) MOSFET系列器件：
E3M0160120D
E3M0160120K
E3M0045065K
E3M0013120K
E4M0045075J2
E4M0025075J2
E4M0025075K1
E4M0015075J2
E4M0015075K1
C3M0032120K1
C3M0032120J2
C3M0075120K1
C3M0075120J2
C3M0160120K1
C3M0040120J2
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
![Z变换的性质及定理 [学以致用系列课程之数字信号处理]](https://api.fanyedu.com/uploads/image/0c/d17b51410a6f06e152c6538df4cb9b.png)
