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一、HyperFlash NOR 闪存概述
S26KS128S（128Mb）HyperFlash™ NOR闪存采用小型 8x6mm 球栅阵列 (BGA) 封装，与 Quad SPI 和双 Quad SPI 部件共享一个共同占位面积，以简化电路板布局。 这些器件非常适合用于高性能应用，如汽车仪表板、通信系统、工业自动化和医疗设备。这些应用需要极高的读取带宽，以实现即时接通要求的快速启动时间；另外还需要低引脚数接口，以降低封装尺寸和 PCB 成本。
二、技术参数
1、S26KS128SDPBHI020 存储器 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA（6x8）
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mb
存储器组织：16M x 8
存储器接口：并联
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：-
访问时间：96 ns
电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
2、S26KS128SDPBHN020 HyperFlash™ KS NOR闪存 128MBIT PAR 24FBGA
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mb
存储器组织：16M x 8
存储器接口：并联
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：-
访问时间：96 ns
电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VBGA
供应商器件封装：24-FBGA（6x8）
基本产品编号：S26KS128
三、引脚封装
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
