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产品概述
LMG341xR150 GaN FET具有集成驱动器和保护功能，让设计人员能够在电动电子系统中实现更高功率密度和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低高达80%）以及低开关节点振铃（降低EMI ）。这些特性支持高密度、高效拓扑结构，例如推拉输出电路PFC。
LMG341xR150的一系列独特的特性可简化设计，最大限度地提高可靠性和优化任何电源的性能，是取代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。
集成栅极驱动实现100V/ns开关，VDS振铃几乎为零。限流响应小于100ns，自防止意外击穿事件。过温关断可防止热失控，系统接口信号提供自我监控功能。
参数：LMG3411R150RWHR 6A PMIC - 配电开关，负载驱动器
开关类型：负载开关
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高端
输出类型：N 通道
接口：逻辑，PWM
电压 - 负载：480V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：9.5V ~ 18V
电流 - 输出（最大值）：6A
导通电阻（典型值）：150 毫欧
输入类型：非反相
特性：自举电路，5V 稳压输出
故障保护：过流，超温，UVLO
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：32-VQFN（8x8）
封装/外壳：32-VQFN 裸露焊盘
基本产品编号：LMG3411R150
应用
工业交流-直流电源
笔记本电脑电源适配器
LED标牌
伺服驱动功率级
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
