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产品概述LMG341xR150 GaN FET具有集成驱动器和保护功能，让设计人员能够在电动电子系统中实现更高功率密度和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低高达80%）以及低开关节
电源输入电容应该靠近管脚放置输出电容电阻应该靠近管脚放置到电感后面输出3.3v晶振布局错误，晶振的一对线要走成类差分的形式， 线尽量短如下图。typec的LCD_R4、LCD_R5要走差分阻抗控制90欧姆做对内等长，差分走线尽量减少打孔换层
电源座子需要超出板框放置2.存在开路3.采用单点接地，此处可以不用打孔，只用在散热焊盘上打孔即可4.尽量从焊盘中心出线5.电源输出电容应该先打后小6.电容位置错误，这是第二路电源的输入电容，应该放在后面7.走线尽量不要有锐角，后期自己调整一
电源输出主干道需要铺铜处理，满足载流2.LDO电源都需要加粗，与焊盘同宽拉出来再进行加粗3.电源输入主干道需要铺铜处理4.反馈需要从电容后面取样5.反馈器件需要靠近芯片管脚放置6.输出电容需要靠近管脚放置以上评审报告来源于凡亿教育90天高速
五串BMS-2版公益评审
差分线不耦合，间距也不一致差分对内不等长误差应控制在+-5mil焊盘出线不规范不要从焊盘中间出线散热过孔应该做开窗处理晶振包地要包全上面部分也要包进去确认这些地方走线是否满足载流要求输出电容要按照先大后下的顺序排列输入端电容应靠近管脚放置c
确认一下此处是否满足载流2.电源输入电容应该先大后小考进管脚放置3.输出电容也是先大后小靠近管脚放置自己确认一下输入输出有没有满足载流，不满足可以加粗走线或者铺铜处理4.USB的两根信号要控制90欧姆的阻抗，走差分，差分对内等长误差5mil
pcb上存在多处开路2.注意铜皮不要有任意角度和尖角，建议钝角，后期自己调整优化一下3.注意焊盘出线规范，焊盘中心出线至外部才能拐线处理，避免生产出现虚焊4.电感所在层的内部需要挖空处理5.电源输出电容摆放要先大后小6.走线能拉直尽量拉直，
电感所在层的内部需要挖空处理2.注意电感下面尽量不要放置器件和走线3.确认一下此处是否满足载流，加宽铜皮宽度4.电源输出打孔要打在最后一个电容后面5.注意走线要从焊盘中心出线6.反馈要从最后一个输出电容后面取样，注意过孔和走线要有网络进行连
走线并未完全连接，要连接到焊盘中心：注意铜皮尽量钝角，不要直角：铺了铜皮连接，里面就不用走线了：注意电源模块对应的GND过孔也是打在最后一个输出电容的管脚后面：注意下布局，电源模块布局走线优先于主干道，布局布线优先级最高，路径尽量短：电感内
注意差分出线要尽量耦合，对内需要再优化一下2.跨接器件旁要多打地过孔，间距最少要满足1.5mm，建议2mm，有器件的地方可以不满足3.此处差分需要优化一下，可以打孔从底层走线4.模拟信号走线需要加粗处理5.反馈信号需要从输出电容后面打孔，走
