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在电子电路中，同相放大电路因其输入阻抗高、输出阻抗低、相位无反转等特性被广泛应用。当然工程师会遇见许多关于同相放大电路的问题，其中之一是它输出电阻近似为0，这是为什么？1、共集电路结构特性同相放大电路的核心部分通常采用共集电极（或共源极，对
1、串联二极管2、整流桥3、MOS防护G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极4、保险丝 TVSTVS选用5V规格：当电压大于5.6V时反向导通。瞬态按捺二极管的作业原理瞬态按捺二极管（瞬态电压按捺器）(TVS)的作业原理与(压二极管又名齐纳二极管）稳压二极管相同，但构造上有
想设计开漏电路，如何做？
在需要电平转换、逻辑“与”操作或节省IC驱动能力的场合中，开漏电路是最佳选择，因此遇到这些需求，工程师可以选择开漏电路，那么如何设计？1、选择适当的MOSFET使用N沟道MOSFET，其漏极（D）连接到外部VCC，源极（S）连接到输出端，栅
在设计MOS管开关电路时，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱们来详细说明。MOS管的工作区域MOS管有三个工作区域：截止区域线性（欧姆）区域饱和区域当 VGS < VTH时，MOS管工作在截止区域。在该区域中，MOS管处于关断状态，因为在漏极和源极之间没有感应沟道。对于要感应的沟道和MOS管在线
三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。对于MOS管，我们在电路设计中都会遇到，那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢？MOS管开关电路我们一般会用一个三极管去控制，如下图！M
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是现代电子电路中常见的电子元件，其源极（S）和漏极（D）的连接方式对电路的功能和性能有重要影响，但有时候可能会遇见S和D接在一起的情况，这是为什么？1、S和D为什么会连接在一起？①电路设计错误在电路设
MOS管（场效应管）通常有三个引脚，分别是源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。区分这三个引脚的方法如下：1. 引脚标识源极 (S): 通常标有 "S" 或 "S2"。漏极 (D): 通常标有 "D"。栅极 (G):
场效应晶体管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。与传统的三极管不同，场效应晶体管主要依靠电场来控制电子通道的导通与关闭。FET的基本结构通常包含三个端口：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。通过在栅极施加电
过压保护、防反接、缓启动电源保护电路原理说明：1、过压保护正常输入无过压：稳压二极管D3截止，使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。因此Q1PMOS的栅极通过R7/R8接地，源极为VCC_BAT，故Q1的Vgs<0，q
场效应管（简称FET）和三极管（简称BJT）是两种常见的半导体器件，它们具有不同的结构、工作原理和应用。以下是场效应管和三极管的主要区别：1. 结构场效应管（FET）：场效应管有一个电场控制的通道，通常是N型或P型半导体材料。主要包括源极、
