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电路设计之过压保护电路
电路设计常用直流电源 在很多的电子产品设计中，电源部分是极为重要的，也是很容易损坏的。一方面是输入的电源极性错误，这个我们之前的文章，也介绍了一部分防止极性发生错误的电路。另外一方面是输入的电压过高。下面我们主要讨论如何简单、可靠的解决电路设计这个问题。 比如在电子器件电源前端的电源不稳定，如汽车电瓶在汽车启动时，会产生很大的浪涌电压。对于此类过压电源的保护，一般采用TVS管去保护。一般应保证TVS管应工作在后端电源芯片器件的正常电压VCC以上，最大工作电压Vmax以下。 TVS管应用电路
模拟电路设计者进阶之路
众所周知，模拟电路设计难学，以最普遍的来说，我们分析它的时候必须首先分析直流偏置，其次在分析交流输出电压。可以说，确定工作点就是一项相当麻烦的工作(实际中来说)，的参数多、参数的离散性也较大。但值得我们注意的是，构建了电子行业的基础，至今为止，电子技术已经发展到如此高的水平。但如果我们观察各种电子电路的发展，我们会发现：几乎所有的电子技术都离不开放大技术。即使是数字芯片内部，其基本单元都是互补型源极接地放大电路。模拟电路设计技术的重要性不言而喻。
英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
振荡回路：开关变压器的主绕组N1、Q1的漏--源极、R4为电源工作电流的通路;R1提供了启动电流;自供电绕组N2、D1、C1形成振荡芯片的供电电压。这三个环节的正常运行，是电源能够振荡起来的先决条件。
关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种
贴片三极管封装
因为最近拆东西，里面的有些贴片元件我看不懂，然后去恶补了一下知识，这里就再补补。SOT-223这个图基本上就很全面了搭配这个一起看还有这个无论是PNP还是NPN，1脚为基极，2脚为发射极，3脚为集电极无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，3脚为
在电子工程中，米勒效应是一个重要的概念，尤其是在MOS管（金属氧化物半导体场效应管）开关的应用中，但有很多电子小白不太清楚这个效应，所以今天将开展这个话题的讨论，希望对小伙伴们有所帮助。按定义来说，米勒效应是指在MOS管的栅极和源极之间加上
MOS管本质上属于静电放电（ESD）敏感器件，本身的输入电阻很高，但栅源极间电容很小，所以相对于其他元件，MOS管更容易受到外界电磁场或静电的感应而带电，也会在强静电场合难于泄放电荷，静电击穿现象更明显。那么如何解决这个问题？一般来说，静电
极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表
