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MOS功率损耗
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
MOS功率损耗
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
硬件工程师应该都用过buck，一些buck芯片会有类似下面的自举电容，有时还会串联一个电阻。那么你是否对这个自举电路有深入的了解呢？比如，这个电容的容值大小该怎么选？大了或者小了会影响什么？耐压要求是怎么样的？最近呢，正好看到ON Semiconductor的一个文档AN-6076，对于自举电路讲得
MOS功率开关
首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗
1、串联二极管2、整流桥3、MOS防护G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极4、保险丝 TVSTVS选用5V规格：当电压大于5.6V时反向导通。瞬态按捺二极管的作业原理瞬态按捺二极管（瞬态电压按捺器）(TVS)的作业原理与(压二极管又名齐纳二极管）稳压二极管相同，但构造上有
前一段时间有个兄弟问了个问题，把我问住了，问题是这个：如上图，串联的电阻R1到底是放在靠近IC端，还是靠近MOS端？（注意，图中的L1是走线寄生电感，并不是这里放了个电感器件） 我们具体沟通的情况是这样的： 这位兄弟说大部分工程师和IC原厂都是这么做的，但是没有说为什么，我当时也不清楚。但是这个问题
1、MOS管简介功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流，MOS管的开关速度与驱动源内阻抗有关，开关速度不同影响其实际损耗。比较常用的
H桥的上管导通后，驱动芯片的自举电容升为24V，紧接着电容要放电，会不会放电至12V，栅极和源极电压几乎一样，导致上管又关断了？
