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MOS功率开关
首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗
硬件工程师应该都用过buck，一些buck芯片会有类似下面的自举电容，有时还会串联一个电阻。那么你是否对这个自举电路有深入的了解呢？比如，这个电容的容值大小该怎么选？大了或者小了会影响什么？耐压要求是怎么样的？最近呢，正好看到ON Semiconductor的一个文档AN-6076，对于自举电路讲得
MOS功率损耗
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
MOS功率损耗
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准
在电子电路中，MOS管驱动电路是很重要的，将直接关系到MOS管的开关速度和效率，本文将列出四个常见的MOS管栅极驱动电路，并附出四个电路图，希望对小伙伴们有所帮助。1、IC直接驱动型这种电路通过电源IC直接提供驱动信号给MOS管的栅极。其结
HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通
1、DRV8353RHRGZR三相智能栅极驱动器48VQFNDRV835x 系列器件均为高度集成的栅极驱动器，适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用标准。这些 应用 包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流
概述EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器（ADJA和ADJB引脚）实现DESAT（可调滤波器时间）和软关闭（可调电流）的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压，采用节省
1、MCF8329A1IREER 60V、无传感器、磁场定向控制 (FOC) 三相 BLDC 栅极驱动器 36-WQFN介绍MCF8329A为驱动无刷直流电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）的应用提供了一种单芯片、无代码、无传感器的F
