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MOS功率损耗
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
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MOS功率损耗
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
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