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提起摩尔定律，很多人都不会陌生，英特尔创始人戈登·摩尔提出：“集成电路上可以容纳的晶体管数量，每经过18-24个月便会翻一番。”但随着芯片制程的提升，摩尔定律即将达到物理极限。据外媒报道，随着新工艺节点的不断推出，芯片制程工艺也正在向着物理
1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个反向通道和 7.8mm 爬电距离ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导
随着科技高速发展，半导体器件日益小型化、智能化等，尺寸的减小，必然带来更加严重的功率密度和热量问题，这些问题若是不及时处理，既有可能影响这些器件的性能、可靠性和寿命。因此，如何提高晶体管的散热能力，是很多科学家及机构的研究重点。近日，日本的
随着芯片制造工艺的不断进步，单个芯片的晶体管数量持续增长，从数万级别到今天的数百亿级别，虽然后面会迎来万亿级芯片时代。长期以来，提高晶体管密度抑制是实现大规模集成电路的主要途径，厂商及工程师的关注点也是以芯片制程的升级为主。但随着工艺邻近物
激光退火
随着超大规模集成电路制造技术、新型薄膜晶体管显示技术和大面积OLED显示技术的日益成熟和规模化，激光退火技术逐渐取代传统的炉管退火、快速热退火、尖峰退火、快闪退火，成为新一代主流退火技术。 自从1975年前苏联科学家Gerasi-menko开始研究激光退火以来，此后若干年里，研究者对激光退火机
NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
虽然市场上仅有苹果的A17 Pro芯片用上了台积电的3nm工艺，但台积电的雄心远不止于此，不仅在明年全面铺开N3E工艺，还要筹备更高的制程工艺，如2nm，甚至1nm。据外媒tomshardware报道，台积电近日在IEDM大会上发布了最新的
回答网友的问题：逻辑电路设计规则里gate width方向的尺寸一般要求远比feature size大，比如28nm的gate width最小也是100nm，间隔也最小80nm，这是出于什么考虑呢？有没有可能跟DRAM工艺那样，也压到fea
在电子元件中，金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是独特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，导致电路无法正常运行，因此工程师必须查找原因并解决问题。1、MOS管为什么很容易失效？①静电放电（ESD）MOS管的输入阻抗极高，使
