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MOS功率开关
首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗
本文要点超大规模集成电路 (Very large scale integration，VLSI) 是一种主流的集成电路 (IC) 设计模式。芯片尺寸微型化有助于降低单个晶体管的功耗，但同时也提高了功率密度。先进封装的低功耗设计趋势势头未减，而更新的技术有助于在不牺牲计算性能的情况下降低器件的功耗。如
简介在光学和光子学领域，周期结构的分析对各种应用非常重要，包括光子晶体、光波导、衍射光栅、等离子结构和超表面。严格耦合波分析（RCWA）是广泛用于模拟电磁波与周期性光学结构相互作用的数值算法。本教程概述 RCWA 技术、其基本原理及其在各种场景中的应用。RCWA的理论背景RCWA 算法基于麦克斯韦方
晶振的负载电容如何计算？
在电子工程中，晶振（晶体振荡器）作为提供稳定、精确频率信号的精密元件，其性能往往受到负载电容的影响。而负载电容是晶振正常振荡所必需的外部电容，工程师必须掌握负载电容的计算方式，确保晶振工作在最佳状态。晶振的负载电容CL通过以下公式计算可得：
压电陶瓷喇叭驱动电路
由IC直接驱动的电路压电扩音器的普通驱动电路是由IC直接驱动的电路。压电扩音器根据从IC输入的信号进行驱动，从而进行鸣动。因此，鸣动频率和声压级根据从IC输入的信号的频率和电压而变化。图1是用IC直接驱动扩音器的电路示例。图1 由IC直接驱动的电路使用晶体管的电路图2是在图1的电路中同时使用晶体管和
补充直流分析中BJT三种状态的等效模型 上节课已经学习了晶体三极管的三种工作状态：截止、放大、饱和，学会如何去区分这三种状态，这里稍作归纳和整理。● 截止状态是指晶体管基极没有电流，即IBQ几乎为零，导致ICQ也很小，就像整个晶体管没有导通一样。至于多么小截止，取决于电路的具体要求。一般情况下，认定
这周的主角是晶体管，严格的说是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，1947年诞生）,后续我们还要讲到另一个分支，叫场效应管(Field effect Transistor，1952年诞生)。晶体管的诞生史可以戳小电科普篇|晶体管诞生记。晶体管被誉为20世纪最伟大的发
在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV
在电子设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为关键元件，其稳定性直接关系到整个电路的性能和可靠性。但如果遇到MOS管雪崩失效，必须提前做好预防措施，那么如何做？1、如何判断MOS管是否雪崩失效？①观察电压波形在MOS管工作时，使
晶振的构造及工作原理
咱搞硬件的，应该都使用过晶振，上次写开关电源环路的零极点的时候，忽然想到晶振是自己起振的，如果从环路的角度看，应该就是利用的环路不稳定的特性，产生自激振荡。 除此之外，我又想到下面这些问题： 那么我们使用晶体的时候，电路的环路的传递函数是怎么样的呢 为什么只有晶振的固有频率
