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一、STM32G031K8U6TR 主流微控制器IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32UFQFPNSTM32G031K8U6TR主流微控制器基于高性能的 Arm® Cortex®-M0+ 32 位 RISC 内核,工作频率高达

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明佳达电子Mandy 2023-11-17 16:36:39
(MCU)嵌入式STM32G031K8U6TR、.CY9AF114LPMC-GE1 32-bit 闪存微控制器

1、MMA040PP5低噪声放大器 IC RF AMP GPS 0HZ至27GHZ 32QFN说明:MMA040PP5是一款(GaAs)低噪声分布式放大器,采用无引线5 mm×5 mm SMT封装,工作频率范围为DC至27 GHz。该放大器

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明佳达电子Mandy 2023-12-29 16:54:18
(RF)射频放大器 MMA040PP5、MMA053PP5、MMA041PP5非常适合测试设备应用

随着DSP工作频率的不断提高,电源与地设计在高速DSP系统中变得愈发重要,这也对电子工程师提出了更高的要求,合理的电源与地设计不仅关乎系统性能,更直接影响系统的稳定性与可靠性,因此本文将探讨这些如何设计。1、电源与地去耦设计①多层板应用随着

高速DSP系统设计方案:电源与地

1、GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 18 GHzHMC346ALC3B是一款吸收式电压可变衰减器(VVA),采用符合RoHS标准的无引脚“无铅”SMT表贴陶瓷封装,工作频率范围为DC - 18 GHz。器件:HMC346ALC3

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明佳达电子Mandy 2024-03-12 17:22:48
具有出色的衰减精度,HMC346ALC3B、HMC346ALP3E、HMC1018ALP4E衰减器非常适合测试仪器仪表

摘要这些分立式GaAs pHEMT采用经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。这些器件的工作频率范围为直流至20GHz。凭借这种性能水平,这些器件非常适合用于高效率

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明佳达电子Mandy 2024-06-25 15:56:00
分立式GaAs pHEMT QPD2018D QPD2025D QPD2040D 射频晶体管,非常适合用于高效率应用

随着电子科技的不断进步,无论是在消费电子、工业自动化或是汽车、医疗、航空航天等各个领域,都在追求更高的功率密度,以满足逐渐提升的电源需求。电源的发展必然是朝着小体积高效率方面演进,提高工作频率是必然趋式。半导体开关器件是开关电源的核心器件,它是实现电源功率转换的必要器件,20多年来,功率金属氧化物半

做开关电源开发是时候该储备一波氮化镓(GaN)功率器件设计知识了

硬件工程师,应该都用过二极管的吧,不过也许有一个误区,大多数人可能并不知道,或者说是理解有问题,下面就来细细说下。 一个问题先提一个问题:到底是什么决定了二极管的最高工作频率?估计有不少人会回答是二极管反向恢复时间Trr,也有人会说是二极管结电容,那到底谁是对的呢?或者说都一样,反向恢复时间由结电容

到底是什么决定了二极管的最高工作频率?

在数字系统中,PCB 的电源分配网络 (power delivery network,即 PDN) 需要在较宽的频率范围内具有较低的阻抗值,以确保在数字器件运行时,电压波动能保持在较低水平。决定 PDN 阻抗的因素有很多,不单单是数字处理器中用于稳定功率输出的电容器。在工作频率达到 GHz 级别的先

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技术资讯 I PDN 元件对阻抗的影响