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MOS管（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的封装方式多种多样，这些封装方式不仅影响着MOS管的物理尺寸、散热性能，也决定了其适用范围和可靠性，所以如何根据项目需求，合理选择MOS管的封装方式？1、TO-247封装TO-247主要用于大功率场
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在电子系统设计中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型很重要，将直接影响系统的性能、效率和可靠性，本文将简洁介绍MOSFET器件选型的三大方法，希望对小伙伴们有所帮助。1、选择P沟道还是N沟道N沟道MOSFET：适用于低压侧开
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在电子电路设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）基本上是串联状态，但有时候可能会并联，这是为了提高电路的电流承载能力或增加功率输出，但也带来许多问题，其中之一是是否需要对称？首先针对这个问题，答案是“是的”！MOS管并联时，其走线
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在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV
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在电子设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为关键元件，其稳定性直接关系到整个电路的性能和可靠性。但如果遇到MOS管雪崩失效，必须提前做好预防措施，那么如何做？1、如何判断MOS管是否雪崩失效？①观察电压波形在MOS管工作时，使
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在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以MOSFET
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