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我们来看一个问题：为什么开关电源中，一般用肖特基二极管续流，不用快恢复二极管呢？ 答案主要有两点：一是肖特基二极管导通电压更低。二是肖特基二极管速度更快，反向恢复时间更小。如此一来，使用肖特基二极管肯定损耗是更小的，温度更低，也不会烫成狗，这样整个开关电源效率也更高。 上面这一段话，想必大家都知道，
继续学习，继续看书，继续动脑子。 上期已经说明了开关电源满足三个条件之后，可以看成是线性的了，那么这期就来看看开关电源的系统框图。 一个坑我一开始就掉进一个坑：系统框图的输入量为什么不是Vi，而是参考电压Vref？参考电压不是固定的吗？也能作为输入？ 反馈控制系统的输入量我有这个问题，是因为我大学课
前面几节我们已经说明白了，在满足一定条件的时候，Buck开关电源可以看成是线性系统，并且可以是划分为4级的反馈控制系统。1、反馈级：H(s)2、放大和补偿级：Gc(s)3、PWM调制级：Gpwm(s)4、开关变换级：Gvd(s)我们要知道整体的传递函数，那么自然需要知道每一级的-传递函数，这一节就先
相信每个硬件工程师应该都用过DC-DC，那么分压反馈电阻的取值有没有想过呢？实际应用中大抵都是直接抄的手册中推荐的分压电阻阻值，就算没有正好对应输出电压的分压阻值，也一般是选择接近的电阻大小。但是，总会有个别人可能想过：我想降低系统功耗，因此想让FB的分压电阻成倍增大，那到底有没有风险呢？最近在自己
今天来说下运放的增益吧，这个参数也是学运放必须要掌握的内容，就来说一说我是怎么看待它的吧。 开环增益和闭环增益 一般说到运放的增益，可能有两个，一个叫开环增益，另一个叫闭环增益。 关于这两个增益的定义，我觉得下图应该说清楚了： 实际放大电路中，一般是有反馈的，也就是说是构成了闭环电
上一节我们说了下运放的增益，并在文末给出了如何评估运放带宽是否足够的计算方法，但是呢，这个评估带宽的方法，也只是做了一半的工作，还有一个压摆率SR需要评估。先来看一个具体的例子，压摆率SR造成的问题现象。例子 1、使用TI的TLV9061轨至轨运放，构建下面的放大1倍的反相放大电路。 正常情况下，如
首先，请讲解一下啸叫的机理。高介电常数的陶瓷电容器具有给电介质施加电压时，电介质变形（失真）的特性。这是压电效应的相反现象，被称为“逆压电效应”。此外，有时也将具有这种特性表达为“压电性”或“逆压电性”。如果施加的是DC电压，则仅产生相应的失真，而如果是有振幅的电压，则使MLCC周期性地变形并引起P
DFB激光器芯片和FP激光器的区别 法布里-珀罗激光器(FP-LD)是最常见、最普通的半导体激光器，它最大的特点是激光器的谐振腔由半导体材料的两个解理面构成。目前光纤通信上采用的FP-LD的制作技术已经相当成熟，普遍采用双异质结多量子阱有源层、载流子与光分别限制的结构。FP芯片结构如上图。DF
I2C通信没反应怎么办？
做硬件我们经常会遇到各种各样的问题，一些通信接口也会出现，I2C自然也不例外。假如遇到I2C没反应，那么可能会出现这种情况：“软件工程师说，我软件都已经配好了，但是就是读写不到数据，是不是硬件有问题”。这个时候，就需要我们了解I2C的通信时序，我们可以通过示波器抓取通信的波形，看是否满足通
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
