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mcu电路设计问题总结
单片机一直处在复位状态时根本无法工作。出现这样的原因是由于RST引脚内含三极管，即便在截止状态时也会有少量截止电流，当R取的非常大时，微弱的截止电流通过就产生了高电平。 二、LED串联电阻的计算问题 通常红色贴片LED：电压1.6V-2.4V，电流2-20mA，在2-5mA亮度有所变化，5mA以上亮度基本无变化。 三、端口出现不够用的情况 这时可以借助扩展芯片来实现，比如三八译码器74HC138来拓展 四、滤波电容 滤波电容分为高频滤波电容和低频滤波电容。
可控硅保护电路设计方法
可控硅的保护电路设计，大致可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。 1. 电路设计过流保护 可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流可控硅损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥可控硅损坏类较为严重,
器件寿终正寝的原因
器件的"寿终正寝"是一种源于物理或化学变化的累积性衰退效应。大家都知道，电解电容和某些类型的薄膜电容"终有一死"，原因是在微量杂质（氧气等）和电压力的共同作用下，其电介质会发生化学反应。集成电路结构遵循摩尔定律，变得越来越小，正常工作温度下的掺杂物迁移导致器件在数十年（而非原来的数百年）内失效的风险在提高。另外，磁致伸缩引发的疲劳会使电感发生机械疲劳，这是一种广为人知的效应。某些类型的电阻材料会在空气中缓慢氧化，当空气变得更为潮湿时，氧化速度会加快。同样，没有人会期望电池永远有效。
一、单片机电路设计上拉电阻的选择大家可以看到电路设计中复位电路中电阻R1=10k时RST是高电平 ，而当R1=50时RST为低电平，很明显R1=10k时是错误的，单片机一直处在复位状态时根本无法工作。出现这样的原因是由于RST引脚内含三极管，即便在截止状态时也会有少量截止电流，当R取的非常大时，微弱的截止电流通过就产生了高电平。二、LED串联电阻的计算问题
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