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简介本教程讨论硅基光电子电路 (PIC) 制造变化的影响。这些变化，尤其是硅厚度和特征尺寸的变化，会严重影响器件性能。了解这些变化对于设计稳健的 PIC 和制定减轻其影响的策略很重要。制造的不均匀性PIC 通常需要精确匹配组件（如环形调制器、光滤波器）之间的中心波长和波导传播常数，以实现波分复用等功
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引言量子计算机在解决某些问题方面大有可为，其速度比经典计算机快得多。然而，构建能够运行商业相关算法的大规模量子计算机仍然是重大挑战。扩展量子计算机的一种方法是采用分布式架构，即将多个量子处理器模块联网。在本文中将探讨如何利用硅 T 中心作为分布式量子计算的平台。T 中心是硅中的光学活性缺陷，兼具出色
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