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随着集成电路技术的不断进步，FPGA的优势越来越凸显，也就受到了工程师的关注及推崇。现在的FPGA是一种硬件可重构的体系结构，可用来替代ASiC芯片。甚至在大型数据交换通讯、阵列数据存储、汽车电子等领域，你都可以看到FPGA的身影。而在FP
随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SiC和GaN是什么？碳化硅（SiC）：碳化硅是一
第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽
提起芯片原材料，很多人第一想到的是硅（Si），但随着时代发展，电子技术迭代更新，芯片种类开始增多，原材料自然也五花八门，其中较为常见的是碳化硅。据外媒报道，意法半导体近期宣布，计划在意大利卡塔尼亚建立全球首个专注于200mm集成碳化硅（Si
1、碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块900V，单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-PackNVXR17S90M2SPB是一款单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-Pack EliteSiC功率模块，适用
这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应
随着时代发展，目前已经发展之第三代半导体材料，第一代至第三代类型如下：第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的；第
说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准
自从人工智能（AI）大模型的横空出世，人们开始意识到算力的重要性，算力是计算能力的简称，算力实现的核心是CPU、GPU、FPGA、ASiC等各类计算芯片，并由计算机、服务器、高性能计算集群和各类智能终端等承载。可以说，谁的算力最多最强，就意
在电子设计领域中，ASiC、FPGA、DSP和MCU是应用最广的常用控制器，它们各具特色，适用于不同场景，扮演着重要角色。本文将简要介绍这四种控制器，希望对小伙伴们有所帮助。1、ASiC（专用集成电路）特点：为特定功能定制，集成度高，成本低
