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说明
UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准栅极驱动的应用。UnitedSiC UF3C SiC FET提供650V、1200V和1700V版本，并提供D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L和TO-220-3L封装。
1、UF3C065080B3 650 V, 80 mohm SiC FET D2PAK-3L
技术：SiC
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：25 A
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：51 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：115 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
商标名：SiC FET
系列：UF3C
配置：Single
下降时间：12 ns
上升时间：13 ns
典型关闭延迟时间：50 ns
典型接通延迟时间：25 ns
单位重量：2.163 g
2、UF3C065080K3S 650 V, 80 mohm SiC FET TO-247-3L
规格
技术：SiC
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-247-3
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：31 A
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：6 V
Qg-栅极电荷：51 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：190 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
商标名：SiC FET
系列：UF3C
配置：Single
下降时间：11 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：14 ns
晶体管类型：1 N-Channel
典型关闭延迟时间：54 ns
典型接通延迟时间：25 ns
单位重量：6 g
3、UF3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET TO-220-3L
规格
技术：SiC
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-220-3
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：31 A
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：51 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：190 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
商标名：SiC FET
系列：UF3C
配置：Single
下降时间：11 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：13 ns
晶体管类型：1 N-Channel
典型关闭延迟时间：59 ns
典型接通延迟时间：18 ns
单位重量：2 g
应用
电信和服务器电源
工业电源
功率因数校正模块
电机驱动器
感应加热
650V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列器件：
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080K3S
UF3C065080T3S
UF3SC065040B7S
UJ3C065080B3
UJ3C065080K3S
UJ3C065080T3S
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