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提起芯片制造，大家第一想到的是台积电和三星，如果提起芯片设计，你第一时间想到的是谁？近期，2023年全球十大IC设计公司榜单出炉，由知名市场调研机构TechInSIghts发布，从数据可得知：2023年全球前十大IC设计业者营收合计约167
旋转位置传感器（Rotary PoSItion Sensor）是一种用于测量物体旋转角度或位置的传感器。它通常由多个组件组成，包括旋转部分、传感器元件和信号处理电路。01旋转位置传感器主要特点旋转位置传感器的主要特点如下:1. 高精度:能够
概述：Virtex UltraScale+ 器件是基于 14nm/16nm FinFET 节点的高性能 FPGA，支持 3D IC 技术和多种计算密集型应用。AMD 第三代 3D IC 使用堆叠硅片互联 (SSI) 技术打破了摩尔定律的限制
瞬态抑制二极管（TranSIent Voltage Suppressor，简称TVS）是电子线路中的重要保护器件，常常用于保护电子设备受到瞬态高能量冲击的损害，为确保TV能够正常工作，工程师必须对其好坏状态进行判断，那么如何做？1、万用表测
随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SIC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SIC和GaN是什么？碳化硅（SIC）：碳化硅是一
第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SIC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SIC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽
无感绕线电阻器（Non-inductive wirewound reSIstor）是一种用于限制电流流动的电阻器。它的主要特点是能够提供稳定的电阻值，且不会产生感抗。无感绕线电阻器通常由绝缘材料包覆的金属丝绕组和端子组成。无感绕线电阻器组成
带阻三极管（Darlington TranSIstor）是一种特殊的双极型（BJT）晶体管，由两个晶体管级联而成。它具有高电流放大倍数和低输入电流的特点，常用于需要高电流放大的应用电路中。带阻三极管基本结构带阻三极管由两个晶体管级联而成,其
提起芯片原材料，很多人第一想到的是硅（SI），但随着时代发展，电子技术迭代更新，芯片种类开始增多，原材料自然也五花八门，其中较为常见的是碳化硅。据外媒报道，意法半导体近期宣布，计划在意大利卡塔尼亚建立全球首个专注于200mm集成碳化硅（SI
在电子通信和系统设计中，信号完整性是所有电子工程师的学习重点，也是众多项目设计的重要环节，学不好信号完整性，就容易被市场淘汰，所以今天来深入理解信号完整性的关键技术参数及名词解释，希望对小伙伴们有所帮助。1、信号完整性（SIgnal Int
