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这里我想主要介绍下在C语言中是如何实现的面向对象。知道了C语言实现面向对象的方式,我们再联想下,C 中的class的运行原理是什么?首先我们来写一段C 的class,拿一个Student类来举例子:在头文件中,我定义一个Student类:#pRAgma onceclass Student {pu

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从C语言实现面向对象探究class的秘密

DRA821 Jacinto™ 处理器1、说明Jacinto™ DRA821x 处理器基于 Armv8 64 位架构,针对具有云连接能力的网关系统进行了优化。片上系统 (SoC) 设计可通过集成(尤其是系统 MCU、功能安全和安全性特性以及

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明佳达电子Mandy 2024-01-24 14:10:42
具有丰富外设、功能和信息安全 DRA821U4TGBALMR、DRA821U2CGBALMR 基于 Arm 的处理器

数据线分组错误,一组应该是9根信号线2.注意数据线等长之间需要满足3W规则3.短接网络进行等长的,后期记得更新一下pcb,恢复正常网络4.地网络需要就近打孔,或者调整一下布局利用BGA里面地网络,尽量保证一个焊盘一个过孔以上评审报告来源于凡

90天全能特训班21期 -AD-二维的-SDRAM

最近科技圈可以说很热闹,屡屡被“脑机接口”刷屏,这得归于马斯克旗下脑机接口NeuRAlink,他们近期成功搞出了一个历史开创性的试验:人类首次植入脑机接口芯片。近日,马斯克在“X”(原Twitter)平台上宣布“1月29日,人类首次接受脑机

马斯克称人类首次植入脑机接口芯片

很多电子小白在学习ARM时,经常会被要求选择开发板来设计实操,这也是学习嵌入式系统开发的重要一步,然而市场上有多种ARM开发板,如何根据自己的学习方向来合理选择开发板?1、RAspberry PiRAspberry Pi是一款基于ARM架构

新手必看:最好的ARM开发板是哪款?

GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用,就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光,也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility TRAnsistors),这种高电子迁移率的晶体管用

GaN芯片工艺

产品简介Zynq™ UltRAScale+™ MPSoC 器件基于业内最先进的16nm FinFET+工艺制程打造,整合了64位ARM Cortex-A53处理器、512位ARM Mali-400 MP2图形处理器以及可编程逻辑单元,具有强

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明佳达电子Mandy 2024-02-24 17:10:30
面向新一代应用的广泛器件组合:XCZU19EG-1FFVC1760E、XCZU19EG-2FFVE1924E四核应用处理器和 GPU (EG) 器件

随着电子技术高速发展,新技术及新概念层出不穷,如果了解过2022-2023年智能手机行业,很容易发现,那段时期的智能手机基本上是支持大内存,几乎所有顶配手机都有24GB、1TB等配置,这是因为内存迎来大降价,导致大内存成本很低,但现在这个状

供应链全面涨价,24G/1TB大内存没了!

随着电子技术高速发展,为了在新兴领域占得一席之地,很多公司选择抱团联盟,这种方式很容易促进技术发展,科技迭代速度加快,而参与的公司都能分到一杯羹。近日,三星电子宣布,将以创始成员身份正式加入AI-RAN联盟,并与英伟达、ARM、软银、爱立信

三星电子正式加入AI-RAN联盟

多谐振荡器(multivibRAtor oscillator)是一种产生多种波形的电子振荡器,常用于时钟电路、定时器、频率调制、音频合成等应用中。01多谐振荡器基本结构多谐振荡器的基本结构由两个互相耦合的放大器组成,每个放大器都具有正反馈回

走进电子元器件,了解多谐振荡器