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二极管选型相对简单,相信每个硬件工程师,都有对比过肖特基二极管与PN结二极管的差异。差异无非有以下结果: 表中参数,看看就好,并不严格,知道二者之间的相对大小就行了。了解了上面参数,基本就知道什么电路,该选什么类型的二极管了。 能用PN结二极管的地方就用PN结二极管,因为价格便宜。肖特基二极管的优势

整点实用的:肖特基二极管和PN结二极管选型比较

在日常的电源设计中,半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题,本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制,以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示:PN结正向导通,反向截止;反向电压超过一定限值VBR,器件发生电击穿;正向导通时,电流超

半导体器件击穿机理分析及设计注意事项

我们上一次说了将半导体制作成本征半导体的目的就是为了能有效的控制半导体的特性为我们所用,那我们今天就来讲一下我们用本征半导体能做成什么东西。首先接触过电子行业的人都会知道,我们电路是由电子元器件构成的,而电子元器件中最基础的元器件莫过于电阻、电容、电感、二极管、三极管等等。而其中的二极管和三极管我们

二极管PN结形成

1、晶闸管(SCR)晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在

一文读懂晶闸管工作原理

第一周主要讲概念,介绍半导体物理知识、PN结的形成以及PN结的特性,而将PN结引上电极加上封装就是二极管。所以悄咪咪地我们就把二极管的特性介绍了。它的伏安特性↓↓↓上图三条曲线分别是三种材料(锗、硅、砷化镓)的二极管的伏安特性曲线,注意看不同象限内的单位哦。大家看到每条线都是弯弯绕绕的,标准的非线性

二极管电路分析的重难点

大学模电里面没有肖特基二极管的内容,然而在实际工作中,肖特基二极管甚至比普通二极管用得还要多。与此同时,肖特基二极管和PN结二极管的工作原理是完全不同的。这节就来简单说一说我对肖特基二极管工作原理的理解。 肖特基二极管的工作原理 肖特基二极管,本质上就是金属和半导体材料接触的时候,在界面半导体处的能

肖特基二极管补补课-有点懵。。。

在半导体物理学中,PN结是一个基础且重要的概念。当我们在PN结两端施加反向电压时,此处是否有电流经过?今天针对这个问题进行探讨,希望对小伙伴们有所帮助。1、反向电压下的PN结PN结受到反向电压时,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时PN

 PN结加反向电压,真的没有电流吗?

PN结击穿现象半导体器件的PN结如图1所示。PN结反向偏置时,通过PN结的电流非常小。随着反向偏置电压的增加,一个非常大的电流开始流过一定的电压极限。这种现象被称为反向偏置击穿,发生PN结击穿的电压称为反向击穿电压。形成反偏PN结击穿的物理机制有两种:雪崩击穿和齐纳击穿。图1 半导体PN结示意图雪崩

MOSFET雪崩击穿机理详解