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稳压二极管
稳压二极管也称为齐纳二极管或者是反向击穿二极管，它是利用PN结反向击穿后，在一定反向电流的范围内反向电压不随反向电流变化这一特点，由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成的。它既具有普通二极管的单向导电性，又可以在工作于反向击穿状态。
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在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
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非隔离式转化器工作原理
之前我们说过，非隔离式转换器有三种基础的结构，他们分别是：降压式、升压式和升降压式。 降压式转换器也称为Buck电路，其结构如下图所示： 当开关S闭合时，电路工作电流如下图所示： 由图中可以看出，VD因为承受反向电压而截止，电感L1励磁并储存能量
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开关电源三种基本拓扑
我们在日常电源开发中应用最多、使用最频繁的拓扑结构莫过于基本的三种拓扑结构：降压式电源线路、升压式电源线路和升降压式开关电源。降压式电源线路如下图所示： 当开关管S闭合时，二极管VD因承受反向电压而截止，电感L1励磁储存能量，电容C0开始充电，输出电压上升。
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