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NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(Mosfet)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS
器件说明：MPQ4431 是一款内部集成了高端和低端功率 Mosfet 的频率可调（350kHz 至 2.5MHz）同步降压开关调节器。它采用电流控制模式，可以提供高达 1A 高效输出电流，具有快速环路响应。3.3V 至 36V 宽输入范围
概述EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器（ADJA和ADJB引脚）实现DESAT（可调滤波器时间）和软关闭（可调电流）的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压，采用节省
随着新能源市场的爆发，电动汽车，光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCMosfet的大规模应用后，在近几年可以看到，国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中，推出相关产品。国内规模比较大的有华
器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 Mosfet，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 Mosfet，符合生产件批准程序 (PPA
一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率Mosfet具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的Mosfet的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFE
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率Mosfet器件采用先进创新的第二代SiC Mosfet技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
晶体管是现代电子电路中的核心元件，其工作状态对电路的性能起着决定性的影响，根据其工作状态，晶体管可分为截止区、放大区和饱和区，那么你知道他们的工作机制和区别吗？下面一起随凡小亿来看看吧！1、截止区此时晶体管处于关闭状态，集电极和发射极之间没
HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如Mosfet和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通
