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罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件-通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
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1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
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在电子系统设计中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型很重要，将直接影响系统的性能、效率和可靠性，本文将简洁介绍MOSFET器件选型的三大方法，希望对小伙伴们有所帮助。1、选择P沟道还是N沟道N沟道MOSFET：适用于低压侧开
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在功率Mosfet设计中，许多工程师被要求降低RDS（ON）与栅源偏置电压Vcs，RDS（ON）是Mosfet在导通状态下的电阻，直接影响电子器件的功耗及效率。1、选择合适的MOSFET器件低RDS（ON）器件：选择专门设计为低导通电阻的
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■ 介绍 MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。三端功率半导体器件的电容可以
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