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一、换芯片也救不了你的电源上周有个学员找我诉苦，说他做了个项目，开关电源效率死活卡在85%上不去。他试了三四款芯片，换了TI的、换了MPS的、甚至还试了国产方案，结果呢？效率纹丝不动。他都快怀疑人生了，觉得是不是自己运气不好。其实我跟他说，
说起来这个话题我就一肚子火，当年刚接触LLC的时候，那叫一个惨烈——调着调着突然听到"啪"的一声，然后就是一股烧焦的味道扑面而来。第一次炸的时候我还以为是自己运气不好，MOS买到了拆机件，结果换了三个品牌、换了五六个规格，该炸还是炸。后来跟
做过电源设计的工程师，估计都遇到过这种糟心事：板子跑着跑着突然重启，一摸芯片烫得吓人；或者MOS管热到可以煎鸡蛋，不加散热片根本不敢用。说起来这背后的问题，很可能就是你的PCB散热设计没做好。很多人觉得散热嘛，不就是铺个大铜皮、加几个过孔的
1、耦合电感HSC的波形每个开关周期，工作占空比D=0.5，两组开关管Q1、Q3、Q5和Q2、Q4、Q6交替开关工作，相位相差180度，输入电源对其中一个飞跨电容充电向输出负载传输能量，另一个飞跨电容放电实现电荷平衡，开关管工作在零电压ZVS软开关状态，耦合电感HSC变换器工作波形，如图1所示。图1
下图展示了一个咱们常见的简单电路：利用一个NMOS（Q2）来控制PMOS（Q1）的通断，它通常应用于需要对某路电压进行时序控制的场景，例如电源时序管理、背光电压或LCD屏供电的控制。然而，在实际的产品兼容性设计中，我们往往会面临两种输入电压的情况：第一，输入电压VCC为DC12V或DC24V，也就是
上周帮一个学员看他的48V转12V降压电源，板子打回来调试了半天，效率死活卡在84%。换了个更低Rds(on)的MOS管，加了昂贵的日系电容，折腾了一圈——还是那个数。他跟我说："师兄，这料都堆上了，怎么还不行？"我让他把板子发过来，看了一
同步整流技术通过低导通电阻的MOSFET替代传统二极管，显著提升了电源效率。然而，在轻载条件下，其效率却常出现明显下降，成为制约技术进一步应用的关键问题。1、反向电流是元凶轻载时，电感电流易降至零并反向流动，导致能量损耗。此时，若下侧MO
译码器输出悬空，看似什么都没接，实则暗流涌动。功耗和噪声都会找上门，但要说哪个更要命，答案很明确。1、悬空等于什么？对于TTL电路，输出悬空相当于正逻辑"1"。但这不是安静的高电平，而是一个随时可能被干扰撬动的脆弱状态。CMOS虽然静态电流
特罗半导体作为一家半导体制造企业，致力于提供高性能和创新型的半导体产品，广泛服务于通信、消费电子、汽车电子及工业控制等领域。功率半导体器件功率半导体是特罗半导体的重要产品之一，主要包括功率MOSFET、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和功率
多路复用器一切换，输出端就冒出ns级电压尖峰，幅值可达50至200mV。罪魁祸首就是电荷注入。不搞定它，16位ADC读出来可能只剩12位。1、毛刺从哪来？模拟开关由并联的NMOS和PMOS构成。控制信号跳变时，栅极-漏极寄生电容CGD将电荷
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