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本文节选自《电子微组装可靠性设计》真空电子器件是发明最早的一类电子器件,真空电子器件是利用处于真空气体媒质中的电子(或离子)发生的各种效应,而产生、放大、转换电磁波信号的有源器件。目前的主要管型有行波管、速调管、磁控管。而行波管在大功率、宽频带、长寿命方面占绝对优势。尽管半导体器件在很多场合已取代了

TWT的失效模式和机理

摘要:常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏.这是 TvS 生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况。通过对 TVS 筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征.结合器件结构、材料

TVS二极管失效分析

混合集成电路(HIC)的主要失效模式包括厚薄布线基板及互连失效、元器件与布线基板焊接/黏结失效、内引线键合失效、基板与金属外壳焊接失效、气密封装失效和功率电路过热失效等。一、HIC的失效类型混合集成电路的失效,从产品结构上划分失效主要分为两大类:组装、封装互连结构失效、内装元器件失效。其中,组装互连

HIC失效模式和失效机理

SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔(TSV)失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装(PoP)结构失效、芯片倒装焊失效等,这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。一、TSV失效模式和机理TSV是SiP组件中一种系统级架构的新的高密度内部互连方式,采用TSV通孔互连的堆叠芯片封装

SiP失效模式和失效机理

LD具有高转换效率,体积小,可靠性高等特点被广泛应用,但是高功率LD芯片制造工艺复杂,价格贵,外延、芯片、封装等的缺陷影响着器件的成品率。 激光器的失效模式1 主要失效特性LD失效的三个时间段: 早期失效、偶然失效、损耗失效早期失效的原因:芯片制造工艺缺陷、焊接失效、芯片端面绝缘层失效。损耗失

高功率二极管LD失效特性

在电子元件中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐,然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象,那么这些失效现象是如何形成的?1、雪崩失效(电压失效)当MOS管的漏源电压(BV

记住这些失效模式,再也不发愁MOS管了!

MOS管作为电子电力系统中的核心元件,其稳定性和可靠性是很多工程师的重点之重,其中SOA失效是MOS管常见的失效模式之一,主要由于超出其安全工作区域而导致的热损坏或电气击穿,那么如何预防?1、如何判断MOS管是否SOA失效?①监测温度:最直

MOS管有SOA失效现象,如何预防?

在电子电路中,电阻器是不可或缺的基础元件,其稳定性和可靠性决定着整个系统的性能,所以在学习电路时,可以先了解下电阻器的失效模式和失效机理。1、开路失效失效机理:电阻膜烧毁或大面积脱落,基体断裂,引线帽与电阻体脱落。2、阻值漂移超规范失效机理

电阻器的失效模式及失效机理简述

在电子设备的运行中,总会遇见电子元器件的失效现象,但你知道吗?这些元器件的主要失效模式及分布概率都不一样,也就是说你自认为的元件A的失效模式,不适合元件B,今天本文将选取五种常见的元器件,谈谈它们的失效模式及概率。1、网络电阻开路:0.92

原来这些电子元件的失效模式区别这么大?!