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英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
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一、LTC3769EFE 60V、低 IQ、同步升压型控制器概述：LTC3769 是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器，用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求，从而简化了高功
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器件说明：MPQ4431 是一款内部集成了高端和低端功率 MOSFET 的频率可调（350kHz 至 2.5MHz）同步降压开关调节器。它采用电流控制模式，可以提供高达 1A 高效输出电流，具有快速环路响应。3.3V 至 36V 宽输入范围
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器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPA
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TOP266KG是一款高性能离线式开关电源控制器芯片，属于 TOPSwitch®-JX 系列。该芯片集成了 725V 功率 MOSFET 和 PWM 控制器，支持高达 58W 的输出功率，适用于多种电源拓扑结构，如反激式开关电源。规格输出隔
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