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英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
英飞凌 CoolSiC? 技术助力光宝科技推出80 PLUS 钛金认证的 SMPS 交换式电源供应器-为符合最高效率 80 PLUS 钛金认证的要求，在 50% 负载条件下，115 V 输入电压需达到94% 效率，另在 230 V 电压下则需达到 96% 效率。
无论是开关电源、拓扑设计、宽禁带半导体、两轮车电气化、高效储能、5G电源等无处不在的基础功率技术，还是智能楼宇、智能家居、雷达感知、语音交互等先锋创新的广泛传感应用。
号外、号外、号外， 英飞凌电源与传感系统云端大会 启动啦~ 9月7日-11日， 两岸三地、专家携手， 一场功率 传感的技术盛会正在袭来！ 精彩主题抢先看 01 极致功率，引领广泛应用的能效创新 采用英飞凌功率器件实现高性能开关电源设计 零电压开通高效反激拓扑电源设计与方案介绍 两轮摩托车的电气化变革与创新机会 英飞凌的宽带隙功率解决方案：硅、碳化硅、氮化镓 高效能存储及创新电池第二寿命解决方案 在5G网络中边缘计算的发展 02 广博传感
这趟“高效节能”车没有老司机，全靠英飞凌功率技术带你飞！-什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
这趟“高效节能”车没有老司机，全靠英飞凌功率技术带你飞！-什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N
产品概述1200V碳化硅汽车Mosfet系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术，碳化硅mosfet专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。
虽然目前Airpods一家独大，但随着安卓厂商相继推出各种方案以解决设计痛点，安卓阵营的市场份额将会一路上涨。文︱方雯图︱英飞凌、智研咨询疫情的爆发致使全球消费环境进入低迷状态，在此情况下，以TWS（真无线立体声）耳机为代表的消费电子行业产品销量以及股市板块迎来集体逆势增涨，其中一些企业概念股更是触
随着自去年下半年以来的芯片产能的持续紧缺，以及上游原材料价格的上涨，众多的晶圆代工厂持续上调了晶圆代工报价，下游的芯片厂商为转嫁成本上升压力，也纷纷对芯片进行涨价。8月23日消息，据Thomson Reuters 报导，英飞凌CEO Reinhard Ploss于8月20日接受德国商业周刊播客专访时
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