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随着数字电路应用领域越来越多，可编程逻辑器件（Programma Logic Device，PLD）在其带动下也成为大火的电子器件之一，这也促使了PLD芯片制造工艺的日益完善，所以我们接下来将盘点可编程逻辑器件PLD芯片制造工艺。
可编程逻辑器件PLD产生于上世纪70年代，是在专用集成电路ASIC基础上发展起来的一种新型逻辑器件，是当今数字系统设计的主要硬件平台，其主要特点就是由用户通过硬件描述语言和相关电子设计自动化软件对其进行配置和编程。
1、熔丝连接技术
最早的允许对器件进行编程的技术是熔丝连接技术。在这种技术的器件中，所有逻辑的连接都是靠熔丝连接的，熔丝器件是一次可编程的，一旦编程，永久不能改变。
如图显示，左图是熔丝未编程的结构，右图是熔丝已编程的结构。
2、反熔丝连接技术
反熔丝技术和熔丝技术相反，在未编程时，熔丝没有连接。如果编程后，熔丝江河逻辑单元连接。反熔丝开始是连接两个金属连接的微型非晶硅柱。
未编程时，成高阻状态。编程结束后形成连接。反熔丝器件是一次可编程的，一旦编程，永久不能改变。
如图所示，左图是熔丝未编程的结构，右图是熔丝已编程的结构。
3、SRAM技术
基于静态存储器SRAM的可编程器件，值被保存在SRAM中时，只要系统正常供电信息就不会丢失，否则信息将丢失。SRAM存储数据需要消耗大量的硅面积，且断电后数据丢失，但是这种器件可以反复地编程和修改。
4、掩膜技术
ROM是非易失性的，系统断电后，信息被保留在存储单元中。研磨器件可以读出，但不能写入信息。ROM单元保存了行和劣数据没形成一个阵列，每一列有负载地阿奴在使其保持逻辑1，每个行列的交叉有一个关联晶体管和一个掩膜连接。
这种技术代价比较高，基本上很少使用。
5、PROM技术
PROM是非易失性的，系统断电后，信息被保留在存储单元中。PROM器件可以编程一次，以后只能读数据而不能写入新的数据。PROM单元保存了行和列数据，形成一个阵列，每一列有负载电阻使其保持逻辑1，每个行列的交叉有一个关联晶体管和一个掩膜连接。
如果可以多次编程就成为EPROM、EEPROM技术。
6、FLASH技术
FLASH技术的芯片的擦除速度比PROM技术要快得多。FLASH技术可采用多重结构，与EPROM单元类似的具有一个浮置栅晶体管单元和EEPROM器件的薄氧化层特性。
