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为确保电子产品的顺利上市，集成电路（IC）不能缺少“流片阶段”，在流片前，设计规则检查（DRC）与版图与电路图一致性检查（LVS）是确保芯片成功制造并符合预期功能的关键步骤。
1、电容长宽比检查
确保电容长宽比合理，避免电场分布不均，影响性能。
2、接地孔优化
充分利用版图空位添加接地孔，预防闩锁效应，提高电路稳定性。
3、天线效应监控
针对大面积金属连接至栅极的情况，进行天线效应检查，必要时采取跳线措施，防止制造过程中因电荷累积导致栅氧化层击穿。
4、全面仿真验证
包括功能仿真、布局布线后仿真及时序仿真，且需带IO接口进行，确保设计在所有阶段均符合预期。
5、使用最新工艺文件
在SMIC等代工厂流片时，确保采用Technologyfile目录下最新的工艺文件，避免使用PDK中的过时版本。
6、更新DRC与LVS文件
流片前访问Foundry网站，下载最新的DRC与LVS检查文件，特别是65nm及以下工艺需额外进行DFM（可制造性设计）检查。
7、数模混合版图验证
数模整合后，通过gds文件导入导出循环检查，确认版图层次无丢失，并执行严格的DRC与LVS检查。
8、第三方IP的DRC合规性、
若发现标准单元或第三方IP存在DRC违规，立即与IP供应商沟通，确保IP库功能正确且能通过最新的DRC检查。
9、芯片标识LOGO
每块芯片设计均需包含特定LOGO，建议格式为“芯片名称_流片日期”，如“ADC_080618”，以便于追踪与识别。
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