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美国为加强在半导体芯片行业的优先地位，多次采取劝说他国及企业断供和出口限制等措施来打压我国，近日，美国再度重拳出击，联合抱团加大了芯片出口管制制度，中国该如何面对？
近日，据外媒报道，美国、荷兰和日本就限制向中国出口先进芯片制造设备达成协议，其中将涉及ASML、尼康、动静电子等企业的半导体制造设备产品，虽然更多细节仍未公布，但不可否认地是，我国的芯片进口会更加艰难。
随后，根据虎嗅网的报道内容，可得知：美日韩三国政府达成一项侧重于先进制程芯片制造技术的协议已有进展，其中将包括但不限于先进制程的光刻系统。
与之前的芯片出口管制协议相比，新协议最大的变化莫过于：对华的出口管制从原来的EUV光刻机扩展到浸润式光刻机（DUV）。
ASML的光刻机有四大类，一种是EUV，也就是极紫外光刻机，用于生产7nm制程及以下的芯片；第二类是用于生产制程在7nm及以下制程的最新型浸润式光刻机；第三种是用于生产制程在40nm／28nm／14nm／7nm的浸润式光刻机；第四种就是生产55nm及以上制程的干式光刻机。
这意味着，第一类和第二类光刻机有很大概率会被缙云，成熟制程的芯片生产不会受到影响。
据业界人士表示：如果用于生产7nm及以下制程的浸润式光刻机被禁运，那么其他机型用于生产28nm／14nm制程的芯片问题都不大。如果是最差的情况，所有浸润式光刻机都被禁运的话，那么用干式光刻机生产55nm制程的芯片是没有问题的，如果要生产40nm制程的芯片，使用双重曝光技术，干式光刻机也可以完成生产。
很多人表示，纠结光刻机的制程是毫无意义的，我们要讲重点放在如何通过工艺、参数、架构上的创新，达到更好的良率、性能和功耗。
中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军表示：“之前人们把能做7nm设计作为高水平的标志，事实上，能够用14nm、28nm做出7nm的性能，才是真正的高手。”
所以我国目前要重点集中在新器件、新材料、新工艺和芯片架构创新。
