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1.芯片下方电容要均匀分布。2.数据线等长组分组错误，两组线分别缺少LDOM、HDQM。3.数据线等长错误，应该控制误差50mil4.地址线等长分组错误，缺少部分网络5.电源输入线宽不一致，电容输入输出都需要加宽。6.多存在多处尖岬铜皮。7
FPGA图像处理之行缓存（linebuffer）的设计一背景知识 在FPGA数字图像处理中，行缓存的使用非常频繁，例如我们需要图像矩阵操作的时候就需要进行缓存，例如图像的均值滤波，中值滤波，高斯滤波以及sobel边缘查找等都需要行缓存设计。这里的重要性就不在赘述。FPGA实现图1 行缓存菊花链
确认一下此处输出是否满足载流，后期自己加宽走线2.电容尽量靠近管脚摆放，尽量均匀摆放3.走线可以在优化一下，尽量不要有锐角4.存储器要分组走线，同组同层，需要等长处理，误差100mil5.走线注意拓扑结构，这个应该是采取菊花链的走线方式，后
大家如果做过DDR的设计可能会发现在进行多片DDR连线时，通常在信号的末端会放置很多的电阻(如下图所示)，那么这些电阻都是起什么作用的呢？通常在DDR末端的电阻是为了防止信号反射的，起阻抗匹配的作用，之前我们介绍过另一种防止信号反射的解决措
DDR采用菊花链拓扑结构时，由于信号传输线较长通常需要在DDR末端加上终端匹配电阻，端接的方式有很多，但是都是为了解决信号的反射问题，通常为了消除信号的反射可以在信号的源端或者终端进行解决，在源端处消除反射是采用电阻串联的方式，在终端处消除
DDR拓扑结构的详细解析
在进行多片DDR设计的时候，通常DDR会存在拓扑结构，下面我们将详细介绍一下各种拓扑结构的区别以以及应用场景。首先我们先介绍一下，当只存在一片DDR的时候通常是采用点对点的连接方式，点对点的布线方式优点是结构简单，阻抗以及时序容易控制，适合
上次我们对不加端接电阻和加端接电阻之后的仿真结果做了分析之后我们得出在DDR采用菊花链拓扑结构的时候是需要加端接电阻的，这次我们看看DDR末端的端接电阻距离最后一片DDR远一点效果好一些还是近一点效果好一些。本次采用的案例依旧是我们上期的D
电源网络DP3V3全都是飞线显示，内层存在电源层赋予对应网络即可：电源平面层没有赋予网络，导致存在飞线网络没有连接：焊盘扇孔注意对齐，都没对齐，需要修改：类似这种过孔内存在线头的自己删除：注意走线优化：地址线内还存在误差报错：不需要拉线的地
DDR3尽量采用菊花链形式，效果更加2.注意数据线之间等长需要满足3W间距规则3.注意VREF电源走线需要加粗到15mil以上，尽量不要有锐角以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码
