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随着芯片制程工艺的提升，由于晶体管密度限制和工艺提升难度，三星率先在芯片工艺上放弃FinFET转用GAA技术，从台积电手中抢走过不少订单，如高通骁龙888和骁龙8 Gen等，但在3nm GAA工艺上，三星似乎遇到了不少麻烦，至今仍未量产，而
湿法化学腐蚀
湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。正常一些的腐蚀Sio2等氧化层工艺，也有许多腐蚀铜、Al、Cr、Ni等金属层工艺。有时还需要做一些晶圆的返工程序，如何配置王水、碘化物溶液等。相对于真空设备，成形稳定的工艺参数来讲，化学间才是考验芯片工程师的主要场地。
自从芯片工艺已进行到3-5nm工艺制度，逐渐达到摩尔定律的物理极限，这也造成很多企业及专家唱衰摩尔定律，但作为摩尔定律的追随者，英特尔为此不断努力验证者摩尔定律的可行性。近日，英特尔正式宣布：已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生
GaN芯片工艺
GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用，就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用
金刻蚀
工作中有很多日常琐事，工艺也有很多类似的异常问题。芯片工艺很多都是看不见，摸不清楚的，只能靠直觉了。 今天碰到一个有趣的金腐蚀问题。以前用的金腐蚀液15s可以吃掉100埃的金，时隔5个月，剩余的金腐蚀液竟然吃不动金了。怀疑过期了？ 保质期写的半年，还有一个月呢。没办法，自己配KI
LD芯片的工艺制作流程
脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程：这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装。但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要
集成电路掺杂工艺
集成电路的制造过程中，掺杂是很重要的一步。最基本的IC工艺步骤如下：掺杂就在芯片工艺段里面，掺杂是什么意思，硅片本身载流子浓度很低，需要导电的话，就需要有空穴或者电子，因此引入其他三五族元素，诱导出更多的空穴和电子，形成P型或者N型半导体。掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一
1：摩尔定律1965年，硅谷传奇，仙童“八叛徒”之一，英特尔原首席执行官和荣誉主席，伟大的规律发现者戈登·摩尔正在准备一个关于计算机存储器发展趋势的报告。在他开始绘制数据时，发现了一个惊人的趋势。每个新的芯片大体上包含其前任两倍的容量，每个芯片产生的时间都是在前一个芯片产生后的18~24个月内，如果
