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这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应
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随着时代发展，目前已经发展之第三代半导体材料，第一代至第三代类型如下：第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的；第
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说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准
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众所周知，半导体大多数原材料属于不可再生能源，许多研究机构及科学家都在努力研发，如何从一定资源提取半导体原材料，降低其制造成本。近期，武汉科技大学宣布，该校材料学部“志同‘稻’合”学生团队采用低温镁热技术，成功从稻杆、稻壳中提取制作一种半导
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