扫码关注
- 全部
- 默认排序
基于电荷泵锁相环技术的电路锁定检测的基本原理和设计实现-电荷泵锁相环的锁定检测电路设计，包括模拟锁定检测和数字锁定检测两种方法。其中，模拟检测电路采用经鉴频鉴相器PFD 输出的相位误差，产生脉冲信号对外部电容进行充电和放电，需要较长的时间以达到稳定的电平输出，以指示当前锁相环状态是锁定或失锁，在电路设计方面不够灵活并缺乏精确判断锁相环的锁定状态，限制了其应用范围。数字锁定检测方法具有准确性高、可编程性且电路设计易于实现等优点而被广泛应用。目前，电荷泵锁相环的数字锁定指示电路设计中，通常采用在鉴频
答：高速电路设计中电容的作用有如下几个：Ø 电荷缓冲池。电容的本质是储存电荷与释放电荷，当外界环境变化时，使得驱动器件的工作电压增加或者减少时，电容可以通过积累或者释放电荷来吸收这种变化，即将器件工作电压的变化转变为电容中电荷的变化，从而保持器件工作电压的稳定；Ø 高频噪声的重要泄放通路。高速运行的电路，时刻存在着状态的改变，这些改变将在电路上产生大量噪声干扰，我们需要将这些干扰泄放到相对稳定的地平面上，以免影响器件工作，因为电容在频率较高时表现为低阻抗，所以可以作为泄放通路
答：高速电路设计中电容的作用有如下几个：电荷缓冲池。电容的本质是储存电荷与释放电荷，当外界环境变化时，使得驱动器件的工作电压增加或者减少时，电容可以通过积累或者释放电荷来吸收这种变化，即将器件工作电压的变化转变为电容中电荷的变化，从而保持器件工作电压的稳定；
重点介绍：模拟地和数字地单点接地。 只要是地，最终都要接到一起，然后入大地。如果不接在一起就是“浮地”，存在压差，容易积累电荷，造成静电。地是参考0电位，所有电压都是参考地得出的，地的标准要一致，故各种地应短接在一起。
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。
ESD的意思是“静电释放”，ESD是以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。1）静电容易吸附细小的灰尘，造成一定的污染2）静电放电会造成器件击穿，静电放电是一个电荷积
电容认识你，你认识它吗？
做为无源器件，其实还有两个，其中一个是电容另一个是电感。咱们今天来说说电容，关于电容首先通过字面理解，电容是一个容器，而这个容器是存储电荷的。那么就会出现几个问题：第一个：电容是怎么进行存储电荷的？第二个：电容的分类是什么？第三个：电容在电
射频打基础之----电阻
一、电阻的基本原理电阻，和电感、电容一起，是电子学三大基本无源器件；从能量的角度，电阻是一个耗能元件，将电能转化为热能。数年前，出现了第四种基本无源器件，叫忆阻器(Memristor)，代表磁通量和电荷量之间的关系。图片出自维基百科Memr
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和
