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过压保护、防反接、缓启动电源保护电路原理说明：1、过压保护正常输入无过压：稳压二极管D3截止，使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。因此Q1PMOS的栅极通过R7/R8接地，源极为VCC_BAT，故Q1的Vgs<0，q
目前，在工业电源和汽车电子系统等应用中，设计使用SiC的反激辅助电源，给系统的芯片供电。在调试过程中，当次级输出负载短路时，SiC非常容易发生损坏，栅极G和源极S之间短路，调整SiC的栅极驱动外围参数，例如，增加栅极驱动的关断电阻值、栅极与源极并联电容，都没有明显的改善。反激辅助电源的PWM控制器V
全控型器件——电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称电力MOSFET（Power MOSFET）。电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有：驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工
功率MOSFET基础
本文内容较长，希望了解MOSFET基本参数工程师，需要花一些时间和耐心。功率MOSFET基础内容表 1.基本器件结构2.击穿电压3.导通状态特性4.电容5.栅极电荷6.栅极电阻7.导通和关断8.体二极管正向电压9.体二极管反向恢复10.雪崩能力和额定11.dV/dt额定12.热阻特性13.功率耗散1
今天我们来聊一聊“为什么功率模块内部有门极电阻？”，这个我们在进行门极驱动设计时经常会被提醒不要忽略的参数。01前言模块内部电阻Rg,int被提及最多的地方，便是在设计门极驱动时，要求我们不要忽略这个参数。那为什么需要在模块内部增加门极电阻呢？我们经常谈及的便是，为了实现模块内部多芯片之间的均流。确
引言随着半导体产业的发展，互补场效应晶体管（CFET）技术在推进未来逻辑技术发展方面展现出显著优势。本文将介绍栅极间距达到48纳米的单片CFET反相器的首次实现，该器件展现出高达1.2伏特的优异电压传输特性[1]。图1展示了从基本反相器电路原理图到先进CFET架构的演进过程，显示了从传统互补金属氧化
绝缘栅型场效应管（MOS管）是许多工程师不会陌生的关键元件之一，该元件因高输入阻抗特点被广泛应用，但这也让MOS管栅极极易击穿，所以有没有关键措施可防止其击穿？！1、保持栅源直流通路栅源间接电阻：在栅源两极之间接一个100KΩ以内的电阻，确
准确判断结型场效应管的电极是电子维修与调试的基础。本文将介绍一种利用万用表快速判断结型场效应管栅极、源极和漏极的具体方法。1、测试准备万用表调至RX1K挡。假定某一管脚为栅极G，用黑表笔接触。2、判断栅极G若前次阻值小（约5~10欧），交换
H桥的上管导通后，驱动芯片的自举电容升为24V，紧接着电容要放电，会不会放电至12V，栅极和源极电压几乎一样，导致上管又关断了？
