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结点温度的计算方法1:根据周围温度(基本)结点温度(或通道温度)可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法,*Rth(j-a):结点-环境间的热电阻根据贴装的电路板的不同而不同。向敝公司标准的电路板上贴装时的值表示为 "代表性封装的电阻值" 。Rth(j-a)的值根据各个晶体管的不同而不同,但如

电子小百科 | 晶体管篇之元件温度计算方法

关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘,DS (漏极、源极) 间形成PN接合,成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的

电子小百科 | 晶体管篇之MOSFET特性

台积电9月份将量产3nm工艺,这一代还会继续使用FinFET晶体管,2025年量产的全新一代2nm工艺才会用上GAA晶体管技术,他们也会使用美国厂商的EDA技术,而且依赖性很高。据悉,EDA电子设计自动化在半导体行业并不是一个价值很高的市场

台积电的2nm先进制程将在2025年量产

射频功率放大器是电子通信发射系统中的主要部分,虽然不怎么起眼,但应用广泛,是我们日常通信中不可缺少的部分,如手机、电脑、天线等,今天本文将详谈射频功率放大器的组成结构及作用用途,希望对小伙伴们有所帮助。一般来说,射频功率放大器有多种类型,但

射频功率放大器的组成结构及作用用途

很多小白不清楚集成运算放大器和稳压集成电路,所以本文将详谈它们的区别及联系,希望对小白有所帮助。1、集成运算放大器集成运算放大器是一种高增益的直接耦合放大器,其内部包含数百个晶体管、电阻、电容,但体积只有一个小功率晶体管那么大,功耗也仅有几

集成运算放大器和稳压集成电路的区别

自从晶元代工厂商开始研发5nm以下的先进制程频频受挫,越来越多的人表示摩尔定律将死,然而Intel对此持有反对的态度。在2022 Intel On技术创新峰会上,Intel CEO帕特·基辛格多次强调未来摩尔定律不会死,还会活得很久。基辛格

Intel:单芯片1万亿晶体管不是梦

随着芯片内嵌的晶体管数量越来越多,市场上的芯片种类繁多,功能多样,层出不穷,但不同芯片的焊接更换方法自然也不同,为帮助小白更好地了解芯片,所以本文将分享不同芯片的更换焊接方法。1、OFP芯片的更换首先把电源打开,调节气流和温控旋钮,使温度保

不同芯片的更换焊接方法详解

随着微电子技术的日益成熟,市场上晶体管种类繁多功能多样,其中小功率晶体二极管正是其中之一,然而由于该二极管只适用于小型设备,一直很少被小白知道,所以今天谈谈小功率晶体二极管的维修检测方法,希望对小伙伴们有所帮助。A、判别正、 负电极(a)观

小功率晶体二极管的维修检测方法

若问起计算机或芯片公司,很多人会想起高通、Intel、或者NVIDIA,但很少人能想起IBM(中文名为蓝色巨人),早在前几年,IBM还是全球著名的计算机公司,在计算机或芯片领域上颇有成就,但随着经营计划的改变,早已淡出普通人的视野。近日,I

​IBM打造出一块内嵌230亿晶体管的5nm AI芯片

随着芯片制造体系的完善,芯片内嵌的晶体管数量越来越多,芯片的先进制程已发展到3nm,现阶段,以台积电、三星为首的晶圆代工厂商都在积极布局芯片的更先进制程节点,越来越多的人开始好奇:1nm制程节点何时生产,是谁先领跑。业界人士预测,按照各大晶

​1nm芯片先进制程最快2027年投产,谁能领跑?