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三极管的介绍:三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。(图一)c图一三极管主要用途:1.放大,(工作时,三极管工作在放大区)用来组成放大电路。   &n

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三极管的介绍及用途

晶体管特性图示仪作为检查晶体管的检测设备,用途广泛,也是实验室、电气工业等多种,但相比示波器等常用设备,晶体管特性图示仪却很少被人了解,甚至很多小白在面对晶体管特性图示仪都不知道该如何操作,更不要说进行分析,所以本文将分享晶体管特性图示仪的

​晶体管特性图示仪的工作原理、作用及使用方法

随着芯片内置晶体管数量越来越多,不到一年间隔研发从10nm、7nmnm到5nm,现如今已发展到一年半间隔研发3nm和2nm,可以说研发下一代工艺芯片所需时间越来越长。芯片的摩尔定律即将走到极限。掌握PCB精髓,来凡亿教育吧!>>《Alleg

三星3nm先进制程工艺良品率仅为10%-20%

众所周知,芯片行业存在一个定理,那就是摩尔定律,主要内容是集成电路上可容纳的晶体管数目在大约每18个月便会增加一倍。掌握FPGA/IC工程师需要的核心技能,来凡亿教育!>>《基于VIVADO平台的FPGA时序约束教程》随着技术的提升和原材料

台积电:3nm工艺下半年量产,2nm工艺2025年投产

微波功率放大器主要分为真空和固态两种形式。基于真空器件的功率放大器,曾在军事装备的发展史上扮演过重要角色,而且由于其功率与效率的优势,现在仍广泛应用于雷达、通信、电子对抗等领域。后随着GaAs晶体管的问世,固态器件开始在低频段替代真空管,尤其是随着GaN,SiC等新材料的应用,固态器件的竞争力已大

微波射频功率放大器发展概述

推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管,以推挽方式存在于电路中,每个管子负责各自正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单,变压器磁芯利用率高,电路工作时

开关电源基础之自激推挽线路

双极型晶体管 (BJT) 是一种半导体器件,它由三个区域组成:n 型区 (发射极)、p 型区 (基极) 和 n 型区 (集电极)。这种晶体管是 bjt(双极型晶体管) 系列中最常用的一种,它被广泛应用于各种电子设备和电路中。本文汇总了一些资

双极型晶体管的工作原理、结构及优缺点

随着芯片制造工艺的不断进步,单个芯片的晶体管数量持续增长,从数万级别到今天的数百亿级别,虽然后面会迎来万亿级芯片时代。长期以来,提高晶体管密度抑制是实现大规模集成电路的主要途径,厂商及工程师的关注点也是以芯片制程的升级为主。但随着工艺邻近物

回首芯片封装,你还记得那些经典产品吗?

自从中国扶持本土半导体企业发展,被美国多次出手打压,甚至拉上了荷兰和日本,多次扩大出口禁售名单。不能否认的是,我国半导体行业起步较晚,关键技术大多数都被海外垄断,所以很多人都忧虑我国是否能占到全球先列水平?也许可以!中国要想摆脱技术限制,或

​碳基芯片——中国摆脱限制站到全球先列的契机

随着时代发展,目前已经发展之第三代半导体材料,第一代至第三代类型如下:第一代半导体材料以传统的硅(Si)和锗(Ge)为代表,是集成电路制造的基础,广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中,90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的;第

碳化硅SiC芯片有哪些技术壁垒要解决?