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器件寿终正寝的原因
器件的"寿终正寝"是一种源于物理或化学变化的累积性衰退效应。大家都知道，电解电容和某些类型的薄膜电容"终有一死"，原因是在微量杂质（氧气等）和电压力的共同作用下，其电介质会发生化学反应。集成电路结构遵循摩尔定律，变得越来越小，正常工作温度下的掺杂物迁移导致器件在数十年（而非原来的数百年）内失效的风险在提高。另外，磁致伸缩引发的疲劳会使电感发生机械疲劳，这是一种广为人知的效应。某些类型的电阻材料会在空气中缓慢氧化，当空气变得更为潮湿时，氧化速度会加快。同样，没有人会期望电池永远有效。
50多年来，半导体行业一直受益于摩尔定律。但是如今，半导体等比例缩小的时代已经结束。摩尔定律主要是作为一条经济法而存在——即集成电路上可容纳的晶体管数量，约每隔几年便会增加一倍。当然，是技术的发展使之成为现实；直到几年前，这一定律依然适用。高层次的经济主张是：每一代工艺将同一领域的晶体管数量增加一倍，成本仅增加15%，从而为每个晶体管节省35%的成本。但是因为当今的工艺愈发复杂，加之建造一个工厂的资本投入非常大（每台EUV步进机将耗资1亿美元），导致每一代晶体管都更加昂贵。因此我们发展出一个从7
近期看到Robin Kearey的一篇博文 SMALLER IS SOMETIMES BETTER: WHY ELECTRONIC COMPONENTS ARE SO TINY[1] ，详细分析了电子器件的微型化所带来的影响。如果你还在想疯狂压缩电路体积的话，看看他的分析也许会让你冷静下来。
器件的“寿终正寝”是一种源于物理或化学变化的累积性衰退效应。大家都知道，电解电容和某些类型的薄膜电容“终有一死”，原因是在微量杂质（氧气等）和电压力的共同作用下，其电介质会发生化学反应。集成电路结构遵循摩尔定律，变得越来越小，正常工作温度下
众所周知，芯片行业存在一个定理，那就是摩尔定律，主要内容是集成电路上可容纳的晶体管数目在大约每18个月便会增加一倍。掌握FPGA/IC工程师需要的核心技能，来凡亿教育！>>《基于VIVADO平台的FPGA时序约束教程》随着技术的提升和原材料
随着芯片内置晶体管数量越来越多，不到一年间隔研发从10nm、7nmnm到5nm，现如今已发展到一年半间隔研发3nm和2nm，可以说研发下一代工艺芯片所需时间越来越长。芯片的摩尔定律即将走到极限。掌握PCB精髓，来凡亿教育吧！>>《Alleg
自从摩尔定律被提出后，芯片内置的晶体管数量开始以高速增长趋势发展，其中的绝缘栅双极晶体管因其特点广受关注，常应用在多种行业，今天我们将为小伙伴们科普绝缘栅双极晶体管。一般来说，电力晶体管GTR的特点是双极性，由电流驱动，有电导调制效应，通流
众所周知，随着电子电路逐渐小型化、智能化，摩尔定律即将达到物理极限，也就意味着芯片性能很难再有极大的提升，这也是近年来台积电三星等半导体厂商的先进制程性能提升不再那么多的原因。要解决这个方法，关键在于量子计算机。近日，来自澳大利亚悉尼的工程
随着科技快速发展，集成电路逐渐从小型化、智能化、功能化方面发展，芯片内置的晶体管数量也开始翻倍增长，目前数量高达几百亿以上，高速度的增长必然将达到摩尔定律的物理极限，业界人士认为量子集成电路是最有效最快速的解决方法，但由于技术限制，至今仍未
众所周知，随着芯片内置的晶体管数量越来越多，数量甚至高达数百亿以上级别，但也就意味着摩尔定律的物理极限即将达到顶点，计算机系统也就无法适应高频率的计算，所以量子计算机出现了，它拥有远超传统计算的潜能，举个例子，若是针对某个特定的量子问题，传
