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离子注入工艺的设计与计算
离子注入工艺参数 00离子注入就像上图一样，把离子砸到晶圆中。涉及到使用的力度、数量、角度，砸进去的深度等。 或许大家看注入机设备规格的时候，会注意到在讨论能量范围的时候，KeV注明是单电荷。 我们知道扩散源以原子的形态被打入等离子发生室内，其核外电子被电离游走掉，有的原子被电离掉一个电
TCAD基础知识介绍
TCAD相信很多人都用过，很多人说做工艺指导还行，信它就可能把片子玩飞了。TCAD在工艺仿真上有它一定的局限性，毕竟工艺过程总环境、物料、人的影响很大。作为器件仿真还是值得学习一下。 TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半导体工艺模拟以及器件模拟
1 •外延的命令epitaxy，参数及其说明如下：1.1外延的例子1.3光刻仿真•OPTOLITH模块可对成像(imaging)，光刻胶曝光(exposure)，光刻胶烘烤（bake）和光刻胶显影（development）等工艺进行精确定义••OPTOLITH提供光阻的库及其光学性质和显影时的特性（
若是评选晶圆代工最强厂商，第一毫无疑问是台积电，凭借着优势抢走了三星大客户，因此三星为争夺订单及挽回客户，做出了种种努力。据外媒报道，三星正在研发智能传感器系统，用于控制和管理半导体工艺，而且这个系统的问世，有望提高三星半导体良品率及生产率
提起摩尔定律，很多人都不会陌生，英特尔创始人戈登·摩尔提出：“集成电路上可以容纳的晶体管数量，每经过18-24个月便会翻一番。”但随着芯片制程的提升，摩尔定律即将达到物理极限。据外媒报道，随着新工艺节点的不断推出，芯片制程工艺也正在向着物理
温度传感器的应用及原理
温度测量应用非常广泛，不仅生产工艺需要温度控制，有些电子产品还需对它们自身的温度进行测量，如计算机要监控CPU的温度，马达控制器要知道功率驱动IC的温度等等，下面介绍几种常用的温度传感器。 温度是实际应用中经常需要测试的参数，从钢铁制造到半导体生产，很多工艺都要依靠温度来实现，温度传感器是应用系统与
随着芯片制造工艺的不断进步，单个芯片的晶体管数量持续增长，从数万级别到今天的数百亿级别，虽然后面会迎来万亿级芯片时代。长期以来，提高晶体管密度抑制是实现大规模集成电路的主要途径，厂商及工程师的关注点也是以芯片制程的升级为主。但随着工艺邻近物
【科普】何谓MEMS？
MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，具有微小的立体结构（三维结构），是处理各种输入、输出信号的系统的统称。是利用微细加工技术，将机械零零件、电子电路、传感器、执行机构集成在一块电路板上的高附加值元件。MEMS工艺MEMS工艺以成膜工序、光刻
湿法化学腐蚀
湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。正常一些的腐蚀Sio2等氧化层工艺，也有许多腐蚀铜、Al、Cr、Ni等金属层工艺。有时还需要做一些晶圆的返工程序，如何配置王水、碘化物溶液等。相对于真空设备，成形稳定的工艺参数来讲，化学间才是考验芯片工程师的主要场地。
虽然市场上仅有苹果的A17 Pro芯片用上了台积电的3nm工艺，但台积电的雄心远不止于此，不仅在明年全面铺开N3E工艺，还要筹备更高的制程工艺，如2nm，甚至1nm。据外媒tomshardware报道，台积电近日在IEDM大会上发布了最新的
