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提起芯片原材料,很多人第一想到的是硅(Si),但随着时代发展,电子技术迭代更新,芯片种类开始增多,原材料自然也五花八门,其中较为常见的是碳化硅。据外媒报道,意法半导体近期宣布,计划在意大利卡塔尼亚建立全球首个专注于200mm集成碳化硅(Si

意法半导体要打造全球首个碳化硅工厂

自从美国限制中国购买芯片制造设备,多国也在跟进中,中国必须寻找可行的购买芯片设备方法,这次中国选择了日本。据媒体报道,有相关数据显示:中国市场已连续三个季度成为日本芯片制造设备的最大出口国,出口占比已超50%。在2024年第一季度,日本对中

中国是日本芯片制造设备的最大市场

若要问哪家内存芯片业务谁最强,毫无疑问是三星电子,尤其是在HBM、NAND等芯片业务上,三星可以说是称霸全球。这些年来,三星电子不断在HBM芯片上改革,提出多项重大技术。据外媒报道,三星电子将在2024年年底推出可将HBM内存与处理器芯片3

传三星将推HBM封装,有望改变AI半导体规则

微波电子管是一种用于产生、放大和调制微波信号的电子器件。它是在微波频段工作的一种放大器,相比于普通的半导体器件,具有更高的功率、更宽的频带和更低的噪声。微波电子管基本结构微波电子管的基本结构包括阴极、阳极、网极、漏极、螺旋线、腔体等部分。阴

走进电子器件,了解微波电子管

这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化,如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术,多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应

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明佳达电子Mandy 2024-06-20 13:35:30
(半导体)基于第三代技术、C3M0075120K1、C3M0032120J2、C3M0032120K1 1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET

随着时代发展,目前已经发展之第三代半导体材料,第一代至第三代类型如下:第一代半导体材料以传统的硅(Si)和锗(Ge)为代表,是集成电路制造的基础,广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中,90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的;第

碳化硅SiC芯片有哪些技术壁垒要解决?

霍尔测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。然而在使用霍尔测试仪时,可能遇见鼓包现象,如何分析

霍尔测试仪出现鼓包现象,如何解决?

在电子设计中,输出模式的选择对电子系统的整体性能有重要影响,而开漏输出作为其中一种常见的输出模式,在多种场景中发挥重要作用。本文将介绍开漏输出,希望对小伙伴们有所帮助。1、开漏输出是什么?开漏输出是一种基于MOSFET(金属氧化物半导体场效

电子设计中的开漏输出是什么?有什么用?

NPN型三极管是一种常用的电子元件,广泛应用于电子电路中。它是一种双极型晶体管,由三个区域组成:发射区、基区和集电区。01NPN型三极管基本结构NPN型三极管由一块P型半导体材料夹在两片N型半导体材料之间组成。其中,夹在中间的P型材料称为基

走进电子元件,了解NPN型三极管

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),也被称为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

走进半导体器件,了解MOS管