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分立器件搭建BUCK电源原理图实战之三角波起源 我们确定了Buck拓扑中器件的的参数，如图一示，接下来分析一下Nmos管NO和OFF时电路的状态，当N管导通时，S端的电压为30V，而Vgs阈值电压是3V，那也就是说需要G点的电压达到
BUCK电源分立器件搭建原理图实战之滞回电路（三） 我们知道MOS管需要开通快关断快，这样才能减少损耗，那MOS管的前级驱动电路一般情况都使用三极管推挽电路实现，我们先定前级驱动电路的电源是12V,我们来看一下电路是怎
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之PWM（四） 上一篇我们已将BUCK电路中拓扑和滞回三角波电路参数确定下来了，一起看一下电路图如图一示,由于R5和C39是输出三角波的，后期调试是需要微调的所以我们这里取巧,把R5换成可调电阻，方
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之软启动Ⅰ 我们分析到使三角波稳定输出后在让分压电阻的电压上升到输出40%占空比的位置上如图一示图 一 那这个需要怎么办才能实现呢？是不是需要分压电阻的电压上升斜率比分压电C39电容（三角波电容）上
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之软启动 Ⅱ 电容是源那是不是使用P管比较合适些,P管E极接A点，B极串联电阻到Agnd，那我们来看一下用三极管放电的电路如图一示图 一 分析这个过程，接上P管后我们看这个电路有没有问题呢？是不是有一
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT、IGCT、发光二极管、敏感器件等。半导体分立器件
中国半导体分立器件产业在上世纪50年代初创，70年代逐渐成长，80年代的改革开放到90年代以后进入全面发展阶段，21世纪初中国加入WTO，为我国半导体分立器件产业带来了新的发展契机。受益于国际电子制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推
分立器件行业概况半导体分立器件是半导体产业的基础及核心领域之一，其具有应用领域广阔、高成品率、特殊器件不可替代等特性。从市场需求看，分立器件受益于物联网、可穿戴设备、智能家居、健康护理、安防电子、新能源汽车、智能电网、5G通信射频等市场的发
器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPA
一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFE
