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由于文章篇幅所限，不得不将MOS晶体管的电容特性分为上下两部分，上部分可点击我空间进行查看。4、若Vgs再增大，排斥掉更多的空穴，吸引了更多的电子，使得Si表面电位下降，能级下降，达到低于P型衬底的费米能级，这时Si表面的电子浓度超过了空穴
01前言工作中的电路板有许多发热比较大的元器件，比如mos管、LED、三极管，尤其在满载的情况下更为严重，散热通孔是众所周知的一种通过电路板表面贴装元件的散热方法。在结构上，板上开有一个通孔，如果该板是单层双面板，则使铜箔连接电路板的顶面和
场效应管在放大电路和开关电路中应用广泛，再加上场效应晶体管中的绝缘栅型属于平面工艺制作，所以在集成电路设计中应用到的晶体管基本上是场效应晶体管。所以本文将分享场效应晶体管的分类及特点。场效应晶体管分为结型场效应晶体管和绝缘栅型长效亿晶体管，
场效应晶体管种类繁多，对于初入晶体管行业的小白来说可能是很难分辨，无法搞懂其结构组成，也就造成场效应晶体管基础知识不行。但场效应晶体管在晶体管行业来说却是非常重要，所以本文将重点分享场效应晶体管的符号结构。一般来说，场效应晶体管的分类结构如
模拟开关在模拟集成电路设计中具有非常重要的作用，是模拟集成电路的核心器件。但有很多小白不清楚模拟开关的工作原理及分类，也看不懂模拟电路的电路图及公式，所以本文将一一回答这些问题。模拟开关主要是完成信号链路中的信号切换功能，采用mos管的开关
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之三角波起源 我们确定了Buck拓扑中器件的的参数，如图一示，接下来分析一下Nmos管NO和OFF时电路的状态，当N管导通时，S端的电压为30V，而Vgs阈值电压是3V，那也就是说需要G点的电压达到
管：MOS 管属于电压型元器件，没有电流的损耗，通过控制 G 来形成我们的电压控制。MOS 分为结型场效应管和绝缘栅型管，绝缘栅型管又分为增强型和耗尽型，这个我们不用太去纠结我们知道有这么回事就行。我们要知道：UGS 栅源电压，UP 夹断电压，UT 开启电压。看图说话，这是一个 N 型的 MOS
BUCK电源分立器件搭建原理图实战之滞回电路（三） 我们知道mos管需要开通快关断快，这样才能减少损耗，那mos管的前级驱动电路一般情况都使用三极管推挽电路实现，我们先定前级驱动电路的电源是12V,我们来看一下电路是怎
这里其实有两个问题：1.单片机为什么不直接驱动负载？2.单片机为什么一般选用三极管而不是mos管？图1答：1.单片机的IO口，有一定的带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。2.至于单片机为什么一般选用三极管而不是mos管？需要了解三
关于mos管驱动电路设计，本文谈一谈如何让mos管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（mos管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在mos管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为mos管的结
