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产品概述 CoolSiCTM 碳化硅mosFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和mosFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC mosFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
概述英飞凌CoolSiCTM mosFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N
FS05MR12A6MA1BBPSA1 1200V SIC AG-HYBRIDD 汽车IGBT模块该电源模块采用新的 CoolSiCTM 汽车 mosFET 1200V，针对电动传动系统应用进行了优化。特性4.2kV DC 1sec 绝缘高
关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、mosFET Q1的RDS(on)和
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之三角波起源 我们确定了Buck拓扑中器件的的参数，如图一示，接下来分析一下Nmos管NO和OFF时电路的状态，当N管导通时，S端的电压为30V，而Vgs阈值电压是3V，那也就是说需要G点的电压达到
Windows作为世界上最主流的操作系统，一直以来是国人最早接触的PC系统之一，但在使用过程中必然会出现部分问题，所以本文将盘点Windows系统最常见的故障及原因分析，希望对小白有所帮助。一般来说，Windows启动时出现故障的原因大致上
管：mos 管属于电压型元器件，没有电流的损耗，通过控制 G 来形成我们的电压控制。mos 分为结型场效应管和绝缘栅型管，绝缘栅型管又分为增强型和耗尽型，这个我们不用太去纠结我们知道有这么回事就行。我们要知道：UGS 栅源电压，UP 夹断电压，UT 开启电压。看图说话，这是一个 N 型的 mos
关于mosFET的寄生容量和温度特性mosFET的静电容量功率mosFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率mosFET在构造上，如图1存在寄生容量 mosFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
BUCK电源分立器件搭建原理图实战之滞回电路（三） 我们知道mos管需要开通快关断快，这样才能减少损耗，那mos管的前级驱动电路一般情况都使用三极管推挽电路实现，我们先定前级驱动电路的电源是12V,我们来看一下电路是怎
Cmos图像传感器可以说为现代的3D成像带来了改头换面的革新，即便是新兴起的激光雷达市场也不例外。不少SPAD Cmos传感器就用于Flash固态激光雷达中，尤其是在自动驾驶应用要求越来越高的前提下，一些主做消费级图像传感器的厂商凭借自己的技术家底，也纷纷入局激光雷达市场。Newsight Imag
