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mos管在电子电路中扮演着重要角色，但其发热问题一直备受关注。所以今天我们来谈谈mos管为什么会有发热问题！1、线性工作状态电路设计不当，使mos管长时间工作在线性区域而非开关状态，导致功率损耗增大，发热严重。2、开关不完全导通N-mos的
前一段时间有个兄弟问了个问题，把我问住了，问题是这个：如上图，串联的电阻R1到底是放在靠近IC端，还是靠近mos端？（注意，图中的L1是走线寄生电感，并不是这里放了个电感器件） 我们具体沟通的情况是这样的： 这位兄弟说大部分工程师和IC原厂都是这么做的，但是没有说为什么，我当时也不清楚。但是这个问题
在讨论电容性能时，我们总会听到“ESR越低，滤波效果越好”类似说法，这也导致许多小白不顾实际需求，使劲降低ESR，但这个观点是否正确？1、输入电容容量要求：大ESR要求：可适当降低，因为主要作用是耐压和吸收mosFET开关脉冲。结论：在此场
今天来说 两个问题：1、mos管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？2、mos管体二极管能过多大的电流？ 为啥会有这两个问题？我们在最开始学习mos管的时候，应该都是从Nmos开始的，电流的方向都是从D到S的。而实际应用电路，Nmos会有电流从S到D的情况，比如下面这个Nmos管防电源反接电
功率mosFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些mosFET是最难确定的元件。本文给出了计算mosFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。也许，今天的便携式电
在电子电路中，我们总会需要设计各种电路及功能模块，其中之一是电磁铁，如果想要电磁铁做到简单的吸合与断开，那么选mos管还是继电器？为什么？1、mos管 VS 继电器①mos管优点：快速响应：mos管开关速度快，适合高频操作。低功耗：在导通状
简介单光子雪崩二极管（SPAD）凭借其在近红外领域的高灵敏度和高速度，已成为飞行时间测量、面部识别和遥测等应用中不可或缺的光电探测器。光子探测概率（PDP）是 SPAD 器件的关键性能指标之一，它代表了 SPAD 的灵敏度，被定义为被吸收的入射光子产生雪崩事件的概率。在本文中将探讨创新方法，以提高集
简介在生成式人工智能、高性能计算 （HPC） 和数据中心的推动下，人们对计算能力的需求不断增长，这也刺激了对先进 Cmos 工艺和封装技术的需求。为满足这一日益增长的需求，半导体行业正在推动到 2030 年实现万亿晶体管三维集成电路（3DIC）系统级封装（SiP）解决方案。本文将探讨台积电推动采用c
今天开始，聊一聊运放吧，之前很多兄弟们也提了这个要求。正好我最近也想深入看看运放方面的，那么就借这个机会一步一步再搞一搞吧。 运放这个器件相对于电阻，电容，三极管，mos管等器件算是比较复杂的，而且电路中也常用，出问题的情况也多，显然一篇文章根本就说不明白运放，因此，我可能要写很多期。具体多少期，写
pn结击穿现象半导体器件的pn结如图1所示。pn结反向偏置时，通过pn结的电流非常小。随着反向偏置电压的增加，一个非常大的电流开始流过一定的电压极限。这种现象被称为反向偏置击穿，发生pn结击穿的电压称为反向击穿电压。形成反偏pn结击穿的物理机制有两种：雪崩击穿和齐纳击穿。图1 半导体pn结示意图雪崩
