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SiC mosFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且，通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构，可以实现最佳的沟道迁移率，明显降低导通电阻，因此，新一代SiC
此芯片采用单点接地，输入输出的地都连接在芯片中间进行回流，其他地方不要打孔2.输入输出主干道尽量一字型布局3.mos管尽量放置在输出路劲上4.走线可以在优化一下，尽量不要有直角5.散热焊盘上的过孔需要双面开窗处理，底层焊盘中间也需要开窗以上
mos管和双极型晶体管（BJT）是常见的两种晶体管器件，它们在工作原理、结构以及性能上存在明显差异，本文将对其进行比较分析。如果您对即将涉及的内容感兴趣，那么请继续阅读下文吧，希望能对您有所帮助。结构BJT有三个区域：发射区（Emitter
一、mos管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？mos管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种
同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率mosFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同
作者经常遇到许多研发工程师寻问功率mosFET的SOA曲线有关的问题，如有些做电源的研发工程师，电源结构为反激或BUCK降压变换器，他们测量到功率mosFET的电压和电流波形，然后根据电压、电流波形和工作的脉宽时间，在SOA曲线中描出对应的工作点，来校核工作点是否在SOA曲线的范围内，以此来判断功
过流短路其实是一个原理，通过在输出端串接一个检测电阻，将需要保护的电流值转化为电压值，将此电压值送入运放，与基准电压比较，即可得出一个信号，用来控制保护是否启动。过流都可以保护了，那短路其实就是过流的极限状态，只是此时由于短路，输出电压没有了，这时颗配合初级的mosFET的限流电阻控制最大输出功
0、前言锂离子电池包的内部，电芯和输出负载之间要串联功率mosFET，使用专用的IC控制mosFET的开关，从而对电芯的充、放电进行管理，如图1所示。在消费电子系统中，如手机电池包，笔记本电脑电池包等，带有控制IC、功率mosFETFE管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电保护板Protecti
上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率mosFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率mosFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
功率mosFET的数据表中，通常列出了包括单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩电流IAS、重复脉冲雪崩能量EAR、重复脉冲雪崩电流IAR等参数，许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对系统的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑
