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近日，日本媒体报道，声称华为将在2022年超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposium）期间发布新型3D DRAM技术，并进行各种有关内存的演示，该技术是与中科院微电子研究所合作开发的。据媒体内容，华为将要发布的3D DRAM技术，
数字经济时代，芯片扮演着重要角色。得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等，我国的半导体产业正在蓬勃发展，并不断拉近与先进地区、企业的差距。日前，韩国研究机构OERI在报告中称，估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年。具体来说，
随着信息技术和微电子技术的高速发展，我们不可避免地进入了大数据时代，数据生产开始呈现爆炸式增长，这也愈发考验计算机系统的数据处理能力，但随着摩尔定律的极限，计算机系统的数据处理能力也将达到瓶颈期，传统的冯·诺依曼计算架构已成为计算机系统性能
2022年或许是DRAM内存多灾多难的一年，不仅迎来价格暴跌现象，还迎来了库存积压严重现象。毫不夸张地说，今年是DRAM内存大降价的一年。据市场调研机构数据报告显示，受到用户需求下滑影响，DRAM的价格在近两个月内严重下滑，下滑幅度将近20
随着数字电路应用领域越来越多，可编程逻辑器件（ProgRAMma Logic Device，PLD）在其带动下也成为大火的电子器件之一，这也促使了PLD芯片制造工艺的日益完善，所以我们接下来将盘点可编程逻辑器件PLD芯片制造工艺。可编程逻辑
MachXO2 可编程逻辑器件 (PLD) 由六个超低功耗、即时启动、非易失性 PLD 组成，可提供 256 至 6864 个查找表 (LUT) 的密度。 MachXO2 系列 PLD 提供了多种特性，例如嵌入式块 RAM (EBR)、分布
一个单片机应用系统的硬件电路设计包含两部分内容：一是系统扩展，即单片机内部的功能单元，如ROM、RAM、I/O、定时器/计数器、中断系统等不能满足应用系统的要求时，必须在片外进行扩展，选择适当的芯片，设计相应的电路。二是系统的配置，即按照系统功能要求配置外围设备，如键盘、显示器、打印机、A/D、D/
FPGA (Field ProgRAMmable Gate Array)即现场可编程门阵列。它是在PLA、PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。1、 FP
LTCC技术和产业分析
低温共烧陶瓷技术（Low Temperature Co-fired CeRAMic LTCC）是1982年开始发展起来的令人瞩目的整合组件技术，已经成为无源集成的主流技术，成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。LTCC技术是于1982年休斯公司开发的新型材料技术，是将低温烧结陶瓷粉制
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层
