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【摘要】本文根据某产品单板电路测试过程的浪涌电流冲击问题，详细分析了MOS管缓启动电路的RC参数，通过分析和实际对电路参数的更改，使电路的浪涌电流冲击满足板上电源要求。一、问题的提出某通信产品电路测试时发现浪涌电流冲击过大，可能会损坏保险丝或MOS管等器件，而且有的即使没有损坏也有可能会影响其使用寿
在电子电路设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）基本上是串联状态，但有时候可能会并联，这是为了提高电路的电流承载能力或增加功率输出，但也带来许多问题，其中之一是是否需要对称？首先针对这个问题，答案是“是的”！MOS管并联时，其走线
我一直在梳理器件的知识，二极管已经梳理完了，前面也插着写了些MOS管的相关内容，一直没梳理过三极管。为了完善知识体系，最近呢，又去学了学，查了查，在网上找到一个比较好的文章，关于如何理解三极管工作原理的，我觉得很不错，整理了下，分享给同志们。 学习的正确姿势关于三极管，我相信每个搞硬件的应该都有看过
U3842是一种电流控制型脉宽调制芯片，由于外围电路简单经典，所以被广泛应用，且做为很多新手入手的教材。从芯片规格书我们可以很容易看到芯片的应用电路，如下图所示：从上图中，我们可以很容易看到这个线路包含整流桥和电容组成的输出端整流滤波电路，变压器绕组上RCD尖峰吸收线路，高频变压器，MOS管，芯片U
U3842是一种电流控制型脉宽调制芯片，由于外围电路简单经典，所以被广泛应用，且做为很多新手入手的教材。从芯片规格书我们可以很容易看到芯片的应用电路，如下图所示：从上图中，我们可以很容易看到这个线路包含整流桥和电容组成的输出端整流滤波电路，变压器绕组上RCD尖峰吸收线路，高频变压器，MOS管，芯片U
U3842是一种电流控制型脉宽调制芯片，由于外围电路简单经典，所以被广泛应用，且做为很多新手入手的教材。从芯片规格书我们可以很容易看到芯片的应用电路，如下图所示：从上图中，我们可以很容易看到这个线路包含整流桥和电容组成的输出端整流滤波电路，变压器绕组上RCD尖峰吸收线路，高频变压器，MOS管，芯片U
MOS功率开关
首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗
半桥式开关电源
我们之前介绍了反激式开关电源和正激式开关电源的一些知识，接下来我们来说一下半桥式开关电源。 半桥式开关电源的主要特征是有两个功率开关器件，我们一般采用MOS管，这两个功率器件以图腾柱的形式连接，然后以功率器件连接的中心点作为输出，向后级电路提供方波信号，下图为简易的半桥式开关电源结构图：
全桥式开关电源
这两天有好多同学问能不能出一期关于全桥开关电源，那我们今天就简单讲一下全桥式开关电源。下图为简易的全桥式开关电源原理图： 图中，Q1-Q4为电源的开关管，我们也可以称为MOS管，他们被分为两组，Q1和Q4为一组，由信号1控制，当Q1和Q4导通时，输入电压Vi被加至变压器初级线圈N1的AB两端，同时在
在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV
