扫码关注
- 全部
- 默认排序
为什么用选择主动式PFC电源-通常来说主动式PFC可以省电真的是这个样子么，下面小编来和你分析一波，主动式PFC在结构上来说基本就是一个通过PWM控制电流波形的AC/DC整流器，交流输入通过整流桥进行整流，然后PWM触发主动PFC电路中的MOSFET管，分离中间直流电压到恒定脉冲序列，随后这些脉冲信号通过滤波电容，将相对平顺的电流送到主开关电路。
产品概述：AP8852 是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速 环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至60V）提供0.5A电流的高效率输出，可在 移动环境输入的条件下实现各种降压型
上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时
功率MOSFET管的阈值电压VGS(th)，在数据表中定义的测量条件为：VDS=VGS，ID=250uA，对应测试电路如图1所示。图1 VGS(th)测试电路功率MOSFET管的栅极与源极之间加上正向驱动电压VGS，在栅极表面形成正电场，栅极氧化层下面P区的电子就被吸引到P区的上表面；VGS电压增
功率MOSFET管不管是平面结构、TRENCH结构还是SGT结构，内部P阱区与N 源极都会短接，然后一起连接到外部源极管脚，如图1所示。图1 功率MOSFET管内部结构那么，为什么内部P阱区与N 源极要短接在一起？功率MOSFET管内部结构都包含N外延层（漂移区）、P阱基区和N 源极区，这三个区形
摘要：本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点，分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热
1、耦合电感HSC的波形每个开关周期，工作占空比D=0.5，两组开关管Q1、Q3、Q5和Q2、Q4、Q6交替开关工作，相位相差180度，输入电源对其中一个飞跨电容充电向输出负载传输能量，另一个飞跨电容放电实现电荷平衡，开关管工作在零电压ZVS软开关状态，耦合电感HSC变换器工作波形，如图1所示。图1
全站最新内容推荐
- 1沪电股份调研纪要：Rubin平台已通过认证，CoWoP+mSAP双引擎卡位AI PCB
- 2铜箔全线涨价！加工费上调1500-5000元，HVLP高端铜箔供不应求
- 3电子布涨价升级！7628累计涨近50%，中国巨石44亿扩产卡位高端
- 4PCB龙头集体扩产高端产能：沪电176亿、鹏鼎110亿，AI产线不可替代
- 5PCB概念股批量涨停！生益电子20cm封板，产业链提价叠加AI需求共振
- 6PCB电源的EMI整改，别再只会加磁珠了
- 7一文介绍：定序器/监控器芯片ADM6840
- 8一文介绍：电机刹车驱动器MAX22215
- 9一文介绍：低功耗16位模数转换器AD4113
- 10入门级MCU选STM32C5还是F4，别只看主频和价格
